[发明专利]开关电源控制器、开关电源系统及开关电源系统供电方法在审

专利信息
申请号: 202010506989.9 申请日: 2020-06-05
公开(公告)号: CN111555643A 公开(公告)日: 2020-08-18
发明(设计)人: 江儒龙;胡黎强;孙顺根;朱臻;郜小茹;陈一辉;张弘;卢鹏飞 申请(专利权)人: 上海晶丰明源半导体股份有限公司
主分类号: H02M7/217 分类号: H02M7/217;H02M3/156;H02M1/08
代理公司: 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 代理人: 王宏婧
地址: 200120 上海市*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 开关电源 控制器 系统 供电 方法
【权利要求书】:

1.一种开关电源控制器,用于控制一开关电源系统的输出电压,其特征在于,所述开关电源控制器包括:位于同一封装体内的输出电压供电单元、内置储能单元和逻辑控制单元;其中,

所述输出电压供电单元的一端连接所述开关电源系统的输出电压反馈端,另一端连接所述内置储能单元的电力输入端,所述输出电压供电单元用于利用所述开关电源系统的输出电压对所述内置储能单元进行充电;

所述内置储能单元的电力输出端连接所述逻辑控制单元的工作电源端,所述内置储能单元用于向所述逻辑控制单元提供工作电压。

2.如权利要求1所述的开关电源控制器,其特征在于,所述输出电压供电单元包括第一电子开关,所述第一电子开关的控制端连接所述逻辑控制单元的相应的输出端,所述第一电子开关的通路一端连接所述开关电源系统的输出电压反馈端,所述第一电子开关的通路另一端连接所述内置储能单元的电力输入端。

3.如权利要求1所述的开关电源控制器,其特征在于,所述内置储能单元包括储能电容,所述储能电容的一端接地,所述储能电容的另一端为所述内置储能单元的电力输入端。

4.如权利要求1所述的开关电源控制器,其特征在于,还包括位于所述封装体内的高压供电单元,所述高压供电单元的一端连接所述开关电源系统的母线直流电压端,另一端连接所述内置储能单元的电力输入端,所述高压供电单元用于在所述内置储能单元不足以向所述逻辑控制单元提供工作电压的阶段,对所述内置储能单元进行充电。

5.如权利要求4所述的开关电源控制器,其特征在于,所述内置储能单元不足以向所述逻辑控制单元提供工作电压的阶段包括:所述开关电源控制器启动和输出建立前的阶段,以及,非连续导通模式下从退磁结束到下个开关周期开启之前且所述内部储能单元的电压低于一预设阈值后的阶段。

6.如权利要求4所述的开关电源控制器,其特征在于,所述内置储能单元还包括稳压二极管和线性稳压器,所述稳压二极管的阴极和所述线性稳压器的一输入端相互连接,并连接所述内置储能单元和所述输出电压供电单元、所述高压供电单元相互连接的一端;所述稳压二极管的阳极接地,所述线性稳压器的输出端作为所述内置储能单元的电力输出端,连接所述逻辑控制单元的工作电压端,所述线性稳压器的另一输入端接入第一参考电压,所述线性稳压器用于根据所述第一参考电压将所述内置储能单元所输出的电压调整至所述逻辑控制单元所需的工作电压。

7.如权利要求4所述的开关电源控制器,其特征在于,所述逻辑控制单元还用于优化所述输出电压供电单元和所述高压供电单元的供电时间比例;所述输出电压供电单元用于在所述逻辑控制单元的控制下,在所述开关电源系统的部分或者全部的负载范围内,向所述内置储能单元充电。

8.如权利要求1所述的开关电源控制器,其特征在于,还包括位于所述封装体内的功率开关管采样单元,所述功率开关管采样单元用于相应的电流采样并向所述逻辑控制单元反馈采样结果,所述输出电压供电单元用于根据所述逻辑控制单元的控制,在所述功率开关管采样单元进行电流采样之前和/或之后对所述内置储能单元充电。

9.如权利要求1或8所述的开关电源控制器,其特征在于,还包括位于所述封装体内的退磁检测单元,所述退磁检测单元用于检测所述开关电源系统的退磁点并向所述逻辑控制单元反馈退磁检测结果;所述输出电压供电单元用于根据所述逻辑控制单元的控制,在相应的退磁阶段内对所述内置储能单元充电。

10.如权利要求8所述的开关电源控制器,其特征在于,还包括位于所述封装体内的屏蔽时间检测单元,所述屏蔽时间检测单元连接所述逻辑控制单元和所述功率开关管采样单元,并用于向所述逻辑控制单元反馈所述功率开关管采样单元电流采样的屏蔽时间;所述输出电压供电单元用于在所述逻辑控制单元的控制下,在所述功率开关管采样单元不进行电流采样且所述功率开关管采样单元的功率开关管关断的退磁阶段内对所述内置储能单元进行充电。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海晶丰明源半导体股份有限公司,未经上海晶丰明源半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010506989.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top