[发明专利]一种高效碲化镉薄膜太阳能电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010507161.5 申请日: 2020-06-05
公开(公告)号: CN111739959B 公开(公告)日: 2021-06-25
发明(设计)人: 彭寿;陈瑛;殷新建;周显华;魏梦楠 申请(专利权)人: 中国建材国际工程集团有限公司
主分类号: H01L31/0296 分类号: H01L31/0296;H01L31/0445;H01L31/0224;H01L31/18
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 郎祺
地址: 200030 上海市普*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 高效 碲化镉 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种高效碲化镉薄膜太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述太阳能电池由下至上包括依次设置的衬底层(1)、窗口层(2)、光吸收层(3)和背电极层(4);其中,所述窗口层(2)的材料为掺镁氧化锌,所述光吸收层(3)为掺砷碲硒镉薄膜层,所述背电极层(4)由钼、铝和铬的复合金属材料构成,包括如下步骤:

S1、在所述衬底层(1)上沉积所述窗口层(2);

S2、在所述窗口层(2)上沉积所述光吸收层(3),通过活化退火工序对所述光吸收层(3)进行活化退火处理;

S3、在所述光吸收层(3)上沉积所述背电极层(4),即得碲化镉薄膜太阳能电池;

S4、将经步骤S3制得的电池用质量浓度为0.05-5%的盐酸蚀刻清洗,然后在所述电池上采用磁控溅射法沉积碲化锌薄膜层,且碲化锌薄膜层的厚度为20-80nm;

S5、将经步骤S4处理后的电池先经过激光1刻划,进行组件的电池分割,分割为200-300个单元,然后进行光刻胶涂覆显影,填充刻划的所述单元;再经过激光2刻划,同样刻划200-300个线,刻划后沉积所述背电极层(4),接着对所述组件进行活化退火处理,进行常规组件封装;

S6、将经步骤S5封装后的所述组件进行碲化镉的电注入激活,给所述电池的接线端加载一定的偏压和电流;

所述衬底层(1)的材料为氧化铟锡导电膜层、TiO2导电膜层和掺铝氧化锌导电膜层中的一种;

所述窗口层(2)的厚度为40-70nm;所述光吸收层(3)的厚度为2.0-4.0μm;所述背电极层(4)的厚度为220-250nm;

所述掺镁氧化锌中镁的摩尔百分比为0-8mol%;所述掺砷碲硒镉中砷的摩尔百分比为3-20mol%;

所述窗口层(2)采用磁控溅射法或丝网印刷技术或射频溅射法沉积制得;所述光吸收层(3)采用近空间升华法或气相输运沉积法或电化学沉积法沉积制得;所述背电极层(4)采用磁控溅射法沉积制得;

S2中,所述光吸收层(3)的具体沉积过程为:通过近空间升华法先沉积硒化镉薄膜的厚度为100-1700nm;然后沉积掺砷碲化镉薄膜的厚度为1300-3900nm;所述掺砷碲化镉材料的具体制备过程为:把纯度大于5N的Cd3As2材料和纯度大于5N的CdTe材料混合后研磨;所述混合材料中砷的浓度为1x1015-1x1022cm-3

S2中,所述活化退火温度为350-600℃,时间为5-40min;S5中,所述活化退火温度为150-280℃,时间为5-30min;

S6中,所述电注入温度为80-150℃,时间为3-15min;所述偏压的范围为开路电压Voc±15%,所述电流的范围为1-3倍短路电流密度Jsc。

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