[发明专利]谐振器及滤波器

说明书

本发明公开了一种谐振器及滤波器。所述谐振器包括：衬底；形成于所述衬底上的压电堆叠结构，所述压电堆叠结构包括依次设置的底电极、压电层和顶电极；以及，形成于所述衬底与所述压电堆叠结构之间的谐振腔；所述谐振器包括谐振区和非谐振区，所述底电极和所述顶电极中的至少一个包括在所述非谐振区中相对于所述衬底上表面呈斜坡状的第一侧壁，且所述第一侧壁在背离所述谐振区中心方向上的厚度逐渐减小。本发明能够提高器件电学性能和良率。

技术领域

本发明涉及谐振器技术领域，尤其涉及一种谐振器及滤波器。

背景技术

FBAR(film bulk acoustic resonator，薄膜腔声谐振滤波器)由于其体积小、半导体工艺兼容性、高Q值等优点，被广泛应用于移动通信领域中。谐振器是构成滤波器的基本元件，其性能直接影响滤波器的性能。

而谐振器中位于非谐振区的顶电极和底电极上还需要层叠其他膜层，例如焊盘，顶电极和底电极与对应的焊盘部分重叠设置，实现电性连接，但这种重叠设置使得重叠部分的膜层较厚，若顶电极和底电极的侧壁为竖直面，容易导致顶电极和底电极与对应的焊盘剥离或断裂，影响器件电学性能和良率。

发明内容

本发明提供一种谐振器及滤波器，能够提高器件电学性能和良率。

本发明提供了一种谐振器，包括：

衬底；

形成于所述衬底上的压电堆叠结构，所述压电堆叠结构包括依次设置的底电极、压电层和顶电极；以及，

形成于所述衬底与所述压电堆叠结构之间的谐振腔；

所述谐振器包括谐振区和非谐振区，所述底电极和所述顶电极中的至少一个包括在所述非谐振区中相对于所述衬底上表面呈斜坡状的第一侧壁，且所述第一侧壁在背离所述谐振区中心方向上的厚度逐渐减小。

进一步优选地，所述第一侧壁包括至少一个第一斜坡面，每个第一斜坡面包括平面和弧面中的任意一个。

进一步优选地，任意相邻的两个第一斜坡面之间的坡度差小于预设坡度范围。

进一步优选地，所述底电极的第一侧壁的坡度与所述顶电极的第一侧壁的坡度相同或不同。

进一步优选地，所述底电极和所述顶电极中的至少一个还包括在所述谐振区中相对于所述衬底上表面呈斜坡状的第二侧壁，且所述第二侧壁在背离所述谐振区中心方向上的厚度逐渐减小。

进一步优选地，所述第二侧壁包括至少一个第二斜坡面，每个第二斜坡面包括平面和弧面中的任意一个。

进一步优选地，所述底电极的第二侧壁的坡度与所述顶电极的第二侧壁的坡度相同或不同。

进一步优选地，所述第一侧壁的坡度与所述第二侧壁的坡度相同或不同。

进一步优选地，所述底电极的第一侧壁和第二侧壁的坡度范围为25°至35°，所述顶电极的第一侧壁和第二侧壁的坡度范围为35°至45°。

进一步优选地，所述底电极在所述衬底上的正投影的形状和所述顶电极在所述衬底上的正投影的形状包括半圆、三角形、矩形和不规则多边形中的任意一个或多个的组合形状。

相应地，本发明还提供一种滤波器，包括上述谐振器，在此不再详细赘述。

本发明的有益效果为：通过使底电极和顶电极中的至少一个包括在非谐振区中相对于衬底上表面呈斜坡状的第一侧壁，且第一侧壁在背离谐振区中心方向上的厚度逐渐减小，保证底电极和/或顶电极能够与覆盖在其上的膜层紧密贴合，避免膜层脱落或断裂，提高器件的电学性能和良率。

附图说明