[发明专利]一种以Mo-二氧化锡作为电子传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 202010510530.6 | 申请日: | 2020-06-08 |
公开(公告)号: | CN111668377B | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
发明(设计)人: | 刘向阳;赵晓伟;牛晨;丁恒川 | 申请(专利权)人: | 河南大学 |
主分类号: | H01L51/46 | 分类号: | H01L51/46;H01L51/48;H01L51/42;B82Y40/00;B82Y30/00;B82Y10/00 |
代理公司: | 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 | 代理人: | 张丽 |
地址: | 475001*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 mo 氧化 作为 电子 传输 钙钛矿 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种以Mo-SnO2作为电子传输层的钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)在洁净ITO电极上沉积Mo-SnO2电子传输层,具体过程为:将Mo-SnO2水分散溶液用去离子水稀释,用氨水调节pH值为9-10,利用旋涂法将调节pH后的Mo-SnO2水分散溶液沉积在洁净ITO电极上,退火处理,即可得到Mo-SnO2电子传输层;
(2)在Mo-SnO2电子传输层上沉积NH4Cl/KCl作为界面修饰层;
(3)在NH4Cl/KCl界面修饰层上沉积含有P123 的(FA0.85MA0.15)1-xCsxPb(I1-yBry)3光敏层,x的取值范围为0.01~0.1,y的取值范围为0.1~0.5;
(4)在光敏层上沉积Spiro-OMeTAD空穴传输层;
(5)在Spiro-OMeTAD空穴传输层上蒸镀Au对电极,即得;
所述Mo-SnO2水分散溶液通过下述方法获得:
(a)将Sn粉和MoO3粉混合,加入去离子水;在冰水浴下搅拌,其中Mo摩尔量占Sn摩尔量的1~8%;
(b)向步骤(a)中所得物中滴加醋酸,并在低于50 ℃下搅拌至Sn粉和MoO3完全溶解;
(c)向步骤(b)的溶液中滴加H2O2;
(d)向步骤(c)所得溶液滴加氨水,搅拌、得到沉淀;在搅拌状态下将沉淀物陈化12~24h,反复抽滤洗涤至滤液电导率≤250 µS cm-1,得到Mo-SnO2前驱体溶液;
(e)将所得Mo-SnO2前驱体溶液用去离子水稀释,并用氨水调节pH值为9~10,在120~230℃下水热反应12~24 h,即可得到Mo-SnO2水分散溶液。
2.根据权利要求1所述以Mo-SnO2作为电子传输层的钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,Sn粉为10 g时,步骤(b)中加入55~65 mL浓度为15~20wt%醋酸,步骤(c)中加入3~5 mL浓度为10~20 wt% H2O2,步骤(d)中加入55~65 mL浓度为10~15 wt%氨水。
3.根据权利要求1所述以Mo-SnO2作为电子传输层的钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述NH4Cl/KCl界面修饰层制备过程如下:将NH4Cl和KCl按照摩尔比1:1加入去离子水中,搅拌使两者充分溶解,得到NH4Cl和KCl总浓度为0.5 mg mL-1混合溶液,一次性沉积60 μL NH4Cl/KCl溶液至Mo-SnO2电子传输层,退火处理,即得。
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