[发明专利]一种宽带、高干扰消除能力的射频低噪声放大器

权利要求书

1.一种宽带、高干扰消除能力的射频低噪声放大器，其特征是，设有宽带输入匹配模块、双谐振负载模块、高干扰抑制率陷波滤波器模块和增益峰化模块；

所述宽带输入匹配模块，用于实现从宽带匹配和最大功率传输，同时将交流小信号电压转化成交流小信号电流；

所述双谐振负载模块，用于实现宽带增益，使宽带信号进行低噪声放大；

所述高干扰抑制率陷波滤波器模块，提高了品质因数，增强了电路的干扰抑制性能；

所述增益峰化模块用于实现高频增益扩展，实现更宽的带宽；

所述宽带输入匹配模块与所述双谐振负载模块连接，所述增益峰化模块同时与所述宽带输入匹配模块和所述双谐振负载模块连接，所述所述增益峰化模块还与所述高干扰抑制率陷波滤波器模块连接，所述宽带输入匹配模块与RFin连接，所述增益峰化模块与RFout连接；

所述宽带输入匹配模块包括第一电容、第一电感、第一MOS管；

所述双谐振负载模块包括第二电感、第三电感、第二电容；

所述高干扰抑制率陷波滤波器模块包括第三电容、第四电感、第二MOS管、第三MOS管；

所述增益峰化模块包括第四MOS管、第五MOS管、第五电感、第一电阻、第二电阻；

其中：

所述第一电容的第一端作为所述低噪声放大器的输入端，所述第一电容的另一端连接所述第一电感的第一端、所述第一MOS管的源极；

所述第一电感的另一端直接连接到地，所述第二电感的第一端与所述第一MOS管的漏极、与所述第三电感的第一端相连，所述第二电感的另一端与第一电源相连；

所述第一MOS管的栅极与第一偏置电压相连，所述第三电感的另一端与所述第二电容的第一端相连；

所述第二电容另一端与所述第一电阻的第一端、与所述第四MOS管的栅极相连，所述第一电阻的另一端与第二偏置电压相连；

所述第四MOS管的源极直接连接到地，所述第四MOS管的漏极与所述第二MOS管的漏极、与所述第四电感的第一端、与所述第五MOS管源极相连；

所述第二MOS管的栅极与所述第四电感的另一端相连，所述第二MOS管的源极与所述第三MOS管的漏极、与所述第三电容的第一端相连；

所述第三电容的另一端直接连接到地，所述第三MOS管的栅极连接第三偏置电压，所述第三MOS管的源极直接连接到地；

所述第五MOS管的栅极连接到第二电源电压，所述第五MOS管的漏极连接到所述第五电感的第一端作为所述低噪声放大器的输出端，所述第五电感的另一端与所述第二电阻的第一端相连，所述第二电阻的另一端连接到所述第二电源电压。

2.根据权利要求1所述宽带、高干扰消除能力的射频低噪声放大器，其特征在于，所述双谐振负载模块和所述增益峰化模块中，所述第二电感、第三电感和第五电感共同决定低噪声放大器的带宽，所述第二电阻决定低噪声放大器增益平坦度。

3.根据权利要求1所述宽带、高干扰消除能力的射频低噪声放大器，其特征在于，所述高干扰抑制率陷波滤波器模块中，所述第二MOS管工作在亚阈值，用于高效率地产生负阻，消除所述第四电感的内在电阻损耗，所述第三电容用以提高陷波滤波器的品质因数，改变第三偏置电压可以调节干扰抑制效果。

4.一种射频前端集成电路，其特征是，包括如权利要求1-3任一项所述的宽带、高干扰消除能力的射频低噪声放大器。