[发明专利]晶圆键合的方法

权利要求书

1.一种晶圆键合的方法，其特征在于，所述方法包括：

在集成电路芯片制造厂依次对晶圆进行清洗工艺和烘烤工艺；

通过晶圆键合设备对晶圆进行键合工艺；

所述晶圆键合设备包括机台，所述机台上设置有机械手传送区、晶圆存取区、对准预键合单元、视觉检测区、解键合单元、后置机械手、晶圆ID阅读器和晶圆预对准器；

所述键合工艺包括：

通过机械手传送区将待键合的两个晶圆从晶圆存取区取出；

通过晶圆ID阅读器和晶圆预对准器读取晶圆ID并对两个晶圆进行预对准；

通过对准预键合单元对两个晶圆进行对准以及预键合；

通过视觉检测区检测预键合后的晶圆对是否存在键合缺陷，若存在键合缺陷，则通过解键合单元对晶圆对进行解键合，将解键合后得到的两个晶圆放置到晶圆存取区，重新进行键合工艺；若不存在键合缺陷，则直接将晶圆对放置到晶圆存取区；

其中，键合工艺的过程中，通过机械手传送区和/或后置机械手对晶圆和晶圆对进行传输。

2.根据权利要求1所述的晶圆键合的方法，其特征在于，所述清洗工艺包括化学表面活化清洗工艺或清洗工艺，其中：

所述化学表面活化清洗工艺包括：

使用化学药液对晶圆进行活化清洗；

晶圆干转；

使用水对晶圆进行清洗；

使用氮气对晶圆进行吹干；

所述清洗工艺包括：

使用水对晶圆进行清洗；

使用氮气对晶圆进行吹干；

所述烘烤工艺包括：

对晶圆进行烘烤；

对晶圆进行冷却。

3.根据权利要求2所述的晶圆键合的方法，其特征在于，使用化学药液对晶圆进行活化清洗的时间为20-60s，晶圆干转的时间为3-10s，使用水对晶圆进行清洗的时间为20-60s，使用氮气对晶圆进行吹干的时间为10-30s，对晶圆进行烘烤的温度为100-400℃，烘烤时间为10s-90s。

4.根据权利要求3所述的晶圆键合的方法，其特征在于，所述化学药液的PH范围为8-10，所述化学药液由以下全部或部分物质组成：

5.根据权利要求1-4任一所述的晶圆键合的方法，其特征在于，所述晶圆存取区、晶圆ID阅读器和晶圆预对准器位于所述机台的左部区域，所述对准预键合单元位于所述机台的右部区域，所述视觉检测区、解键合单元和后置机械手位于所述机台的中部区域；所述所述解键合单元位于所述中部区域的上部，所述后置机械手位于所述中部区域的中部，所述视觉检测区位于所述中部区域的下部。

6.一种晶圆键合的方法，其特征在于，所述方法包括：

在集成电路芯片制造厂对晶圆进行清洗工艺；

通过晶圆键合设备对晶圆进行键合工艺；

所述晶圆键合设备包括机台，所述机台上设置有机械手传送区、晶圆存取区、烘烤单元、对准预键合单元、视觉检测区、解键合单元、后置机械手、晶圆ID阅读器和晶圆预对准器；

所述键合工艺包括：

通过机械手传送区将待键合的两个晶圆从晶圆存取区取出；

通过晶圆ID阅读器和晶圆预对准器读取晶圆ID并对两个晶圆进行预对准；

通过烘烤单元对晶圆进行烘烤；

通过晶圆预对准器对两个晶圆进行预对准；

通过对准预键合单元对两个晶圆进行对准以及预键合；

通过视觉检测区检测预键合后的晶圆对是否存在键合缺陷，若存在键合缺陷，则通过解键合单元对晶圆对进行解键合，将解键合后得到的两个晶圆放置到晶圆存取区，重新进行键合工艺；若不存在键合缺陷，则直接将晶圆对放置到晶圆存取区；

其中，键合工艺的过程中，通过机械手传送区和/或后置机械手对晶圆和晶圆对进行传输。