[发明专利]等离子体处理方法及等离子体处理装置

说明书

本发明的例示性实施方式所涉及的等离子体处理方法包括通过从高频电源供应高频电力而在等离子体处理装置的腔室内由成膜气体生成等离子体的工序。等离子体处理方法还包括通过将源自等离子体的化学物种堆积在腔室的侧壁的内壁面上而在内壁面上形成保护膜的工序。在形成保护膜的工序中，从直流电源装置向等离子体处理装置的上部电极周期性地施加脉冲状的负极性直流电压。

技术领域

本发明的例示性实施方式涉及一种等离子体处理方法及等离子体处理装置。

背景技术

等离子体处理装置用于对基板进行等离子体处理。有时保护膜会在对基板进行等离子体处理之前形成于等离子体处理装置的腔室的内壁面上。日本特开2014-138027号公报及日本特开2016-12712号公报中公开了一种在腔室的内壁面上形成保护膜的技术。在这些各文献中所公开的技术中，在腔室内生成含硅气体等离子，以在腔室的内壁面上形成保护膜。

发明内容

本发明提供一种抑制形成于电容耦合型等离子体处理装置的上部电极上的保护膜的厚度增加，并且控制形成于腔室的侧壁的内壁面上的保护膜的厚度的技术。

在一例示性实施方式中，提供一种等离子体处理方法。等离子体处理方法利用等离子体处理装置执行。等离子体处理装置具备腔室、基板支撑器、上部电极、高频电源及直流电源装置。腔室包含具有内壁面的侧壁。基板支撑器包含设置于腔室内的下部电极。上部电极设置于基板支撑器的上方。高频电源用于在腔室内生成等离子体。直流电源装置与上部电极电连接。直流电源装置构成为周期性产生脉冲状的负极性直流电压。等离子体处理方法包括通过从高频电源供应高频电力而在腔室内由成膜气体生成等离子体的工序。等离子体处理方法还包括通过将源自等离子体的化学物种堆积在内壁面上而在内壁面上形成保护膜的工序。在形成保护膜的工序中，从直流电源装置向上部电极周期性地施加脉冲状的负极性直流电压。

根据一例示性实施方式，能够抑制形成于电容耦合型等离子体处理装置的上部电极上的保护膜的厚度增加，并且控制形成于腔室的侧壁的内壁面上的保护膜的厚度。

附图说明

图1是一例示性实施方式所涉及的等离子体处理方法的流程图。

图2是概略表示一例示性实施方式所涉及的等离子体处理装置的图。

图3是表示图2所示的等离子体处理装置的直流电源装置的结构的一例的图。

图4是与一例示性实施方式所涉及的等离子体处理方法相关的时序图。

图5是表示实验结果的图表。

具体实施方式

以下，对各种例示性实施方式进行说明。

在一例示性实施方式中，提供一种等离子体处理方法。等离子体处理方法利用等离子体处理装置执行。等离子体处理装置具备腔室、基板支撑器、上部电极、高频电源及直流电源装置。腔室包含具有内壁面的侧壁。基板支撑器包含设置于腔室内的下部电极。上部电极设置于基板支撑器的上方。高频电源用于在腔室内生成等离子体。直流电源装置与上部电极电连接。直流电源装置构成为周期性产生脉冲状的负极性直流电压。等离子体处理方法包括通过从高频电源供应高频电力而在腔室内由成膜气体生成等离子体的工序。等离子体处理方法还包括通过将源自等离子体的化学物种堆积在内壁面上而在内壁面上形成保护膜的工序。在形成保护膜的工序中，从直流电源装置向上部电极周期性地施加脉冲状的负极性直流电压。