[发明专利]显示面板及显示装置在审
申请号: | 202010511617.5 | 申请日: | 2020-06-08 |
公开(公告)号: | CN111708229A | 公开(公告)日: | 2020-09-25 |
发明(设计)人: | 任维 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 徐世俊 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
本发明提供一种显示面板及显示装置,显示面板包括:相对设置的第一基板以及第二基板、至少两个第一电极、至少一个第二电极以及液晶分子。通过在所述第二电极与所述阵列基板之间设有一支撑块,进而将第二电极的高度拔高,在第一电极与第二电极通电的时候,异性电极产生的电场线会覆盖更多的液晶分子,因此改变了电场分布,增加了液晶偏转效率,提高的面板的穿透率。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是一种应用于IPS-VA的显示面板及显示装置。
背景技术
随着液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)产品市场发展,根据市场高频率高速动画的电竞产品需求,对LCD显示技术要求越来越高,需要电子产品的快的刷新频率,则在液晶材料显示需求快速响应的液晶需求才能匹配到产品的需求,而在现有开发的情况下材料的响应时间有限,有必要开发新的显示模式来改善液晶的响应时间。图1为现如今开发的新的显示模式,在新的显示模式中,正负电极为水平电极;液晶偏转的时候,虽然显示液晶可以改善效应时间,然而相邻电极之间液晶无偏转,导致这些区域的液晶无法实现其功能,并且模拟结果显示穿透率有缺失(如图2所示标记区域10处,对应图1中的电极中间未偏转的区域)。
因此,急需提供一种显示面板及显示装置,改善面板部分区域的偏转效果不理想,进而提高部分区域的穿透率。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是,提供一种显示面板及显示装置,改善面板部分区域的偏转效果不理想,进而提高部分区域的穿透率。
为解决上述问题,本发明提供一种显示面板,包括:相对设置的第一基板以及第二基板;至少两个第一电极,设于所述第一基板上;至少一个第二电极,设于所述第一基板上且设于所述两个第一电极之间,所述第一电极与所述第二电极的极性不同;液晶分子,阵列式的设于所述第一基板以及所述第二基板之间;其中,在所述第二电极与所述第一基板之间设有一支撑块。
进一步地,所述支撑块的高度大于所述第一电极的高度。
进一步地,所述支撑块的材料包括色阻。
进一步地,所述液晶分子为PSVA。
进一步地,所述第一电极为正极或负极;所述第二电极为负极或正极。
进一步地,第一配向膜,设于所述第一基板、所述第一电极以及所述第二电极上;第二配向膜,设于所述第二基板朝向所述液晶分子的一侧。
进一步地,所述第一电极的材料为氧化铟锡;和\或,所述第二电极的材料为氧化铟锡。
进一步地,所述第一电极的宽度为2um~3um;和\或,所述第二电极的宽度为2um~3um;和\或,所述第一电极与所述第二电极的间距为7um~12um。
进一步地,所述支撑块的高度为0.5um~1.5um。
本发明还提供一种显示装置,包括前文所述的显示面板。
本发明的有益效果是:本发明提供一种显示面板及显示装置,通过在所述第二电极与所述阵列基板之间设有一支撑块,进而将第二电极的高度拔高,在第一电极与第二电极通电的时候,异性电极产生的电场线会覆盖更多的液晶分子,因此改变了电场分布,增加了液晶偏转效率,提高的面板的穿透率。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的描述。
图1为现有技术显示面板液晶偏转的结构示意图。
图2为现有显示面板对应于图1不同位置的穿透率测量模拟曲线图。
图3为本发明提供的显示面板液晶偏转的结构示意图。
图4为本发明提供的显示面板采用不同高度的支撑块的穿透率的测量模拟曲线图。
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