[发明专利]记忆体元件在审
| 申请号： | 202010511919.2 | 申请日： | 2020-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN112531108A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 陈佑昇;邱大秦;吴昭谊;卡罗司·迪亚兹 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 记忆体 元件 | ||
【权利要求书】：
1.一记忆体元件，其特征在于，包含:
一导电线；
一第一二维材料层，位于该导电线上方；
一相变化元件，至少部分通过该第一二维材料层和该导电线分离；以及
一上电极，位于该相变化元件上方。
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