[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

有源区，其布置在衬底上，并且包括在第一方向上延伸的第一侧壁和第二侧壁；以及

外延图案，其布置在所述有源区上，

其中，所述外延图案包括分别从所述有源区的所述第一侧壁和所述第二侧壁延伸的第一外延侧壁和第二外延侧壁，

其中，所述第一外延侧壁包括第一外延下侧壁、第一外延上侧壁以及连接所述第一外延下侧壁和所述第一外延上侧壁的第一外延连接侧壁，

其中，所述第二外延侧壁包括第二外延下侧壁、第二外延上侧壁以及连接所述第二外延下侧壁和所述第二外延上侧壁的第二外延连接侧壁，

其中，所述第一外延上侧壁与所述第二外延上侧壁之间在与所述第一方向垂直的第二方向上的距离随着与所述有源区相距的距离在与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向上增大而减小，并且

其中，所述第一外延下侧壁和所述第二外延下侧壁与所述衬底的顶表面平行地延伸。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一外延连接侧壁与所述第二外延连接侧壁之间的距离在远离所述有源区的所述第三方向上实质上不变。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一外延连接侧壁和所述第二外延连接侧壁是弯曲的。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，所述外延图案包括连接所述第一外延连接侧壁和所述第二外延连接侧壁的外延顶表面，并且

其中，所述外延顶表面是弯曲的。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，所述外延图案包括连接所述第一外延连接侧壁和所述第二外延连接侧壁的外延顶表面，并且

其中，所述外延顶表面包括与所述衬底的所述顶表面平行地延伸的部分。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

场绝缘膜，其布置在所述衬底上，并且覆盖所述第一侧壁和所述第二侧壁，

其中，所述场绝缘膜部分地覆盖所述第一外延下侧壁和所述第二外延下侧壁。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

连接至所述外延图案的至少一个纳米片。

8.一种半导体装置，包括：

有源区，其包括在第一方向上延伸的第一侧壁和第二侧壁；以及

外延图案，其布置在所述有源区上，

其中，所述外延图案包括分别从所述有源区的所述第一侧壁和所述第二侧壁延伸的第一外延侧壁和第二外延侧壁，

其中，所述第一外延侧壁包括第一外延下侧壁、第一外延上侧壁以及连接所述第一外延下侧壁和所述第一外延上侧壁的第一外延连接侧壁，

其中，所述第二外延侧壁包括第二外延下侧壁、第二外延上侧壁以及连接所述第二外延下侧壁和所述第二外延上侧壁的第二外延连接侧壁，

其中，所述第一外延上侧壁和所述第二外延上侧壁由第一晶面族中包括的晶面形成，并且

其中，所述第一外延连接侧壁和所述第二外延连接侧壁由与所述第一晶面族不同的第二晶面族中包括的晶面形成。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，

其中，所述第一晶面族是{111}晶面族，并且

其中，所述第二晶面族是{110}晶面族。

10.根据权利要求8所述的半导体装置，

其中，所述第一外延下侧壁和所述第二外延下侧壁由第三晶面族中包括的晶面形成，并且

其中，所述第一晶面族和所述第三晶面族是{111}晶面族。

11.根据权利要求8所述的半导体装置，

其中，所述第一外延下侧壁和所述第二外延下侧壁由第三晶面族中包括的晶面形成，

其中，所述第一晶面族是{111}晶面族，并且

其中，所述第三晶面族是{100}晶面族。