[发明专利]一种二氧化钼纳米薄膜的溅射制备方法

权利要求书

1.一种二氧化钼纳米薄膜的溅射制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)、将清洁衬底固定于真空腔内位于靶材正前方的夹具筒的筒壁上或靶材侧的真空腔腔壁上，夹具筒可以绕中轴线旋转，其中轴线与靶材表面平行，夹具筒筒壁与靶材表面的最小距离在2cm以上，所述靶材是平板状金属钼靶，夹具筒的直径大于靶材的宽度尺寸；

(2)、将真空腔抽真空，然后通入工作气体，工作气体气压范围在0.02Pa～5Pa之间；

(3)、开启控制钼靶直流阴极电源的射频阴极电源，使靶前产生等离子体，对靶进行溅射；

(4)、在靶材表面施加300V～900V的频率低于100KHz的交流电压进行中低频磁控溅射；

(5)、对溅射的二氧化钼层进行退火热处理：将溶解掉氧化钼模板后的二氧化钼纳米管薄膜和平板玻璃在空气环境中进行退火处理，热处理温度为400℃，热处理时间为6小时；最终得到平板玻璃表面上的二氧化钼纳米管薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种二氧化钼纳米薄膜的溅射制备方法，其特征在于，溅射时调节夹具筒以每分钟0～200转的转速旋转；溅射功率为50-70W，溅射时间50-5000秒或连续溅射直至靶材报废为止，得到二氧化钼薄膜。

3.根据权利要求1所述的一种二氧化钼纳米薄膜的溅射制备方法，其特征在于，脉冲周期的次数为80～300次，即获得1～3层的二硫化钼薄膜。

4.根据权利要求3所述的一种二氧化钼纳米薄膜的溅射制备方法，其特征在于，轰击气体为Ar气。

5.根据权利要求4所述的一种二氧化钼纳米薄膜的溅射制备方法，其特征在于，溅射频率约为13.56兆赫。

6.根据权利要求5所述的一种二氧化钼纳米薄膜的溅射制备方法，其特征在于，工作气体气压范围在0.02Pa～5Pa之间。