[发明专利]一种基于机器学习的3D芯片信号耦合性分析系统及方法有效
申请号: | 202010511973.7 | 申请日: | 2020-06-08 |
公开(公告)号: | CN111783376B | 公开(公告)日: | 2022-06-24 |
发明(设计)人: | 张力;唐思瑶;施叶昕;李原 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | G06F30/3323 | 分类号: | G06F30/3323;G06N3/04;G06N3/08 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 刘静 |
地址: | 310058 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 机器 学习 芯片 信号 耦合 分析 系统 方法 | ||
1.一种基于机器学习的3D芯片信号耦合性分析系统,其特征在于,该系统包括TSV通孔3D模型、TSV通孔RLGC等效电路模型以及BP神经网络;
所述TSV通孔3D模型用于得到在不同的TSV通孔的半径、高度以及通孔之间的距离参数下的TSV通孔的S参数,并分别存入S2P文件;
所述TSV通孔RLGC等效电路模型具体为:电路模型两端的Term为S参数仿真中的端口,将两端口对应的点记为A、B,两TSV通孔对称并分别接地,其中一个TSV通孔有两个接地点,记为C、D,另外一个TSV通孔也有两个接地点,记为E、F;两个电容值相同的电容并联后再与PRC以及一个电容串联在A、C两点之间,B、D两点之间和A、E两点之间以及B、F两点之间的电路连接情况与A、C两点之间相同;C、D两点之间串联一个电阻和一个电感; A、B两点之间串联一个电阻和一个电感;TSV通孔RLGC等效电路模型根据S2P文件得到对应尺寸下的RLGC等效电路的电路参数;
所述TSV通孔的半径、高度以及通孔之间的距离参数作为BP神经网络的输入,RLGC等效电路的电路参数作为BP神经网络的输出,对BP神经网络进行训练,训练后的网络可输出RLGC等效电路的电路参数,根据得到的电路参数进行S参数仿真分析,分析结果即为对应尺寸下TSV通孔3D模型的传输特性。
2.根据权利要求1所述一种基于机器学习的3D芯片信号耦合性分析系统,其特征在于,所述TSV通孔为在3D芯片中通过层级之间传输信号的硅通道。
3.根据权利要求1所述一种基于机器学习的3D芯片信号耦合性分析系统,其特征在于,所述S2P文件为一种双口网络文件,包含了该网络的S参数。
4.根据权利要求1所述的一种基于机器学习的3D芯片信号耦合性分析系统,其特征在于:所述的TSV通孔3D模型利用HFSS建立并仿真得到,其设计尺寸参数选取了TSV长度、TSV直径、TSV间距,使用理想导电边界;忽略电频率对材料的影响,使用理想电导体建立模型,仿真频率的设置从0Hz-10GHz。
5.根据权利要求1所述的一种基于机器学习的3D芯片信号耦合性分析系统,其特征在于:所述的TSV通孔RLGC等效电路模型通过电容电感之间的串并联增加电路的可适应性,使得通过改变器件的参数使电路的S参数与S2P文件相符;由于TSV通孔模型的对称性,RLGC等效电路也成对称结构,仿真频率范围设置为0GHz-10GHz,步长为0.1GHz;S11参数的优化赋予权重1,将S12参数的优化赋予权重420000。
6.根据权利要求1所述的一种基于机器学习的3D芯片信号耦合性分析系统,其特征在于:所述的BP神经网络是线性的,通过插值的方式来增加训练集的点数。
7.一种应用权利要求1所述系统进行3D芯片信号耦合性分析的方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)利用HFSS建立并仿真得到TSV通孔3D模型,通过TSV通孔3D模型得到不同的TSV通孔的半径、高度以及通孔之间的距离参数下的TSV通孔的S参数并分别存入S2P文件;
(2)建立TSV通孔RLGC等效电路模型,具体为:电路模型两端的Term为S参数仿真中的端口,将两端口对应的点记为A、B,两TSV通孔对称并分别接地,将对称的两接地点,对称的两部分接地点分别记为C、D和E、F;两个电容值相同的电容并联后再与PRC以及一个电容串联在A、C两点之间,B、D两点之间和A、E两点之间以及B、F两点之间的电路连接情况与A、C两点之间相同;C、D两点之间串联一个电阻和一个电感; A、B两点之间串联一个电阻和一个电感;
(3)将步骤(1)得到的S2P文件输入到步骤(2)建立的TSV通孔RLGC等效电路模型中,得到对应尺寸下的RLGC等效电路的电路参数;
(4)TSV通孔的半径、高度以及通孔之间的距离参数作为BP神经网络的输入,RLGC等效电路的电路参数作为BP神经网络的输出,对BP神经网络进行训练;
(5)将3D芯片的TSV通孔的半径、高度以及通孔之间的距离参数输入到训练后的BP神经网络中,输出对应尺寸的RLGC等效电路的电路参数,根据得到的电路参数进行S参数仿真分析,分析结果即为对应尺寸下TSV通孔3D模型的传输特性。
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