[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202010512859.6 | 申请日： | 2020-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN112086509A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 松野吉德;高木保志;田口健介;宫崎光介 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/47;H01L29/872;H01L21/28;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，其具有：
第1导电型的缓冲层；
第1导电型的漂移层，其配置于所述缓冲层之上，该漂移层被规定了有源区域、包围所述有源区域的界面区域、包围所述界面区域的终端区域；
第2导电型的第1杂质层，其配置于所述界面区域的所述漂移层的表面；
第2导电型的第2杂质层，其配置于所述第1杂质层的表面，所述第2杂质层的侧部及底部被所述第1杂质层覆盖，所述第2杂质层与所述第1杂质层相比杂质浓度高；
绝缘层，其将所述有源区域侧的所述第1杂质层及所述第2杂质层露出，配置于所述终端区域侧的所述第1杂质层及所述第2杂质层之上；
金属化层，其配置于从所述绝缘层露出的所述第1杂质层及所述第2杂质层之上、以及所述绝缘层之上；以及
电极，其配置于所述金属化层之上，
在俯视观察时，所述金属化层的所述终端区域侧的第1端部的位置与所述电极的所述终端区域侧的第2端部的位置相同。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述金属化层包含钛、钼或钨。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
在俯视观察时，所述第1端部及所述第2端部比所述第2杂质层的所述终端区域侧的端部更靠近所述有源区域。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，
在俯视观察时，所述第1端部及所述第2端部与所述第2杂质层的所述终端区域侧的端部之间的距离大于0而小于或等于20μm。
5.一种半导体装置的制造方法，其具有以下工序：
准备第1导电型的缓冲层；
将第1导电型的漂移层形成于所述缓冲层之上，其中，所述第1导电型的漂移层被规定了有源区域、包围所述有源区域的界面区域、包围所述界面区域的终端区域；
将第2导电型的第1杂质层形成于所述界面区域的所述漂移层的表面；
将第2导电型的第2杂质层形成于所述第1杂质层的表面，其中，所述第2杂质层的侧部及底部被所述第1杂质层覆盖，所述第2杂质层与所述第1杂质层相比杂质浓度高；
将绝缘层形成于所述终端区域侧的所述第1杂质层及所述第2杂质层之上，其中，所述绝缘层将所述有源区域侧的所述第1杂质层及所述第2杂质层露出；
在所述绝缘层及所述漂移层之上依次形成第1金属膜及第2金属膜；以及
通过对所述第1金属膜及所述第2金属膜一并地进行干蚀刻，从而使得在俯视观察时，残存的所述第1金属膜即金属化层的所述终端区域侧的第1端部的位置与残存的所述第2金属膜即电极的所述终端区域侧的第2端部的位置相同。
6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述干蚀刻的蚀刻气体包含BCl3以及Cl2。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社，未经三菱电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010512859.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：自润滑导电衬套系统
- 下一篇：用于飞行器的可收缩涡流发生器系统和飞行器
- 同类专利
- 专利分类
