[发明专利]一种核壳结构高耐电强度氧化钛基介质粉体及其制备方法和应用有效
申请号: | 202010512917.5 | 申请日: | 2020-06-08 |
公开(公告)号: | CN111732431B | 公开(公告)日: | 2021-10-01 |
发明(设计)人: | 陈莹;房卓群;姚春华;董显林 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | H01B3/12 | 分类号: | H01B3/12;C04B35/46;C04B35/626;C04B35/628;C04B35/622;C04B41/88 |
代理公司: | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人: | 曹芳玲;郑优丽 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 结构 高耐电 强度 氧化 介质 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种核壳结构高耐电强度氧化钛基介质粉体,其特征在于,所述核壳结构高耐电强度氧化钛基介质粉体具有核壳结 构,内核为TiO2颗粒,外壳为CaO-MgO-Al2O3-SiO2包覆层;所述包覆层中CaO、MgO、Al2O3和SiO2摩尔比为(0.7~1.1):(0.9~1.2):(1.7~2.3):(7.5~8.3);所述TiO2颗粒和CaO-MgO-Al2O3-SiO2包覆层的质量比为1:x;其中,0.02≤x≤0.12;
所述的核壳结构高耐电强度氧化钛基介质粉体的制备方法包括:
(1)将钙盐、镁盐和铝盐溶于水,得到含有Ca2+、Mg2+和Al3+的溶液A;
(2)将硅源溶于无水乙醇,得到溶液B;
(3)将TiO2纳米粉体分散到去离子水中,得到悬浊液C;
(4)将溶液A和溶液B依次注入至悬浊液C中,得到混合溶液D,注入完成后使混合溶液充分搅拌1~3小时,然后调节pH为7~10;
(5)将所得混合溶液D在70~90℃下水浴加热后,再经烘干和煅烧,得到所述核壳结构高耐电强度氧化钛基介质粉体。
2.根据权利要求1所述的核壳结构高耐电强度氧化钛基介质粉体,其特征在于,所述包覆层中CaO、MgO、Al2O3和SiO2摩尔比为1:1:2:8。
3.根据权利要求1所述的核壳结构高耐电强度氧化钛基介质粉体,其特征在于,所述TiO2颗粒和CaO-MgO-Al2O3-SiO2包覆层的质量比为1:x;其中,0.04≤x≤0.10。
4.根据权利要求1所述的核壳结构高耐电强度氧化钛基介质粉体,其特征在于,所述TiO2颗粒的粒径为40~150nm;所述CaO-MgO-Al2O3-SiO2包覆层的厚度不超过20nm。
5.根据权利要求1所述的核壳结构高耐电强度氧化钛基介质粉体,其特征在于,所述溶液A中金属离子的总浓度为0.06~0.30 mol/L;其中,Ca2+的离子浓度为0.01~0.05 mol/L,Mg2+的离子浓度为0.01~0.05 mol/L,Al3+的离子浓度为0.04~0.20 mol/L。
6.根据权利要求1所述的核壳结构高耐电强度氧化钛基介质粉体,其特征在于,所述硅源选自正硅酸四乙酯,所述溶液B中硅源的浓度为0.2~0.8mol/L;所述悬浊液C中TiO2纳米粉体和去离子水的质量比为1:5~1:15。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的核壳结构高耐电强度氧化钛基介质粉体,其特征在于,所述煅烧的温度为500~600℃,时间为2~4小时。
8.一种高耐电强度氧化钛基介质陶瓷块体,其特征在于,选用权利要求1-7中任一项所述的核壳结构高耐电强度氧化钛基介质粉体作为原料,经过压制成型和烧结,得到所述高耐电强度氧化钛基介质陶瓷块体。
9.根据权利要求8所述的高耐电强度氧化钛基介质陶瓷块体,其特征在于,所述压制成型的压力为80~300 MPa;所述烧结的温度为1050~1250℃,时间为1~3小时。
10.一种介质陶瓷元件,其特征在于,将权利要求8或9所述高耐电强度氧化钛基介质陶瓷块体经覆银工艺,得到所述介质陶瓷元件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所,未经中国科学院上海硅酸盐研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010512917.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。