[发明专利]一种驱动芯片上凸块的制备方法有效
申请号: | 202010514199.5 | 申请日: | 2020-06-08 |
公开(公告)号: | CN111640683B | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | 孙彬 | 申请(专利权)人: | 厦门通富微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/48 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 黎坚怡 |
地址: | 361000 福建省厦门市中国(福建)自由贸易试验区*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 驱动 芯片 上凸块 制备 方法 | ||
本申请公开了一种驱动芯片上凸块的制备方法,该方法包括:在驱动芯片的功能面上的沟槽线路区表面形成可去除的保护层,沟槽线路区周围的至少一个焊盘从保护层中露出,且保护层在功能面上的正投影大于其与功能面接触的一端在功能面上的正投影;在功能面以及保护层远离功能面一侧形成金属层,且位于功能面上的金属层与保护层的一端之间具有间隔;在每个焊盘位置处分别形成金属凸块;去除保护层以及保护层表面的金属层;去除金属凸块周围未被金属凸块覆盖的金属层。通过上述方式,本申请能够使驱动芯片功能面上沟槽线路区内无金属残留,避免因沟槽线路区与残留金属电连接导致驱动芯片短路,提高驱动芯片的可靠性。
技术领域
本申请涉及驱动芯片技术领域,特别是涉及一种驱动芯片上凸块的制备方法。
背景技术
驱动芯片集成了至少两种功能,比如触控与显示驱动器集成(Touch and DisplayDriver Integration,TDDI)芯片,触控芯片与显示芯片整合进单一芯片中,为对至少两种芯片整合,驱动芯片的线路区设计复杂,因此,在驱动芯片的功能面上通常具有阵列排布的沟槽,以容纳复杂的线路区。
现有技术中,在芯片的功能面上形成金属凸块时,通常需要先在芯片的功能面上形成金属层,但是在驱动芯片的功能面上形成金属层后,其功能面上的沟槽内也会形成金属层,后续再利用蚀刻工艺去除沟槽内的金属时难以彻底清除沟槽内的金属,导致沟槽内残留有金属增加驱动芯片发生短路的概率,使驱动芯片的可靠性降低。
发明内容
本申请主要解决的技术问题是提供一种驱动芯片上凸块的制备方法,能够使驱动芯片功能面上沟槽线路区内无金属残留,避免因沟槽线路区与残留金属电连接导致驱动芯片短路,提高驱动芯片的可靠性。
为解决上述技术问题,本申请采用的一个技术方案是:一种驱动芯片上凸块的制备方法,该方法包括:
在驱动芯片的功能面上的沟槽线路区表面形成可去除的保护层,所述沟槽线路区周围的至少一个焊盘从所述保护层中露出,且所述保护层在所述功能面上的正投影大于其与所述功能面接触的一端在所述功能面上的正投影;在所述功能面以及所述保护层远离所述功能面一侧形成金属层,且位于所述功能面上的所述金属层与所述保护层的所述一端之间具有间隔;在每个所述焊盘位置处分别形成金属凸块;去除所述保护层以及所述保护层表面的所述金属层;去除所述金属凸块周围未被所述金属凸块覆盖的所述金属层。
其中,所述保护层靠近所述功能面的一端沿靠近所述功能面方向尺寸逐渐降低。
其中,所述保护层的竖截面为倒梯形。
其中,所述在驱动芯片的功能面上的沟槽线路区表面形成可去除的保护层,包括:在所述驱动芯片的功能面一侧形成第一光刻胶;去除部分所述第一光刻胶,仅保留对应于所述沟槽线路区位置处的所述第一光刻胶,以在对应所述沟槽线路区的位置形成所述保护层。
其中,所述在每个所述焊盘位置处分别形成金属凸块,包括:在所述金属层一侧形成第二光刻胶,所述第二光刻胶覆盖所述保护层远离所述功能面的一侧以及所述保护层的侧面;在所述第二光刻胶上对应所述焊盘的位置形成第一开口;其中,所述第一开口两侧被保留的所述第二光刻胶覆盖所述保护层的两侧及其表面的所述金属层;利用电镀的方式在所述第一开口内形成所述金属凸块,所述金属凸块与所述焊盘电连接。
其中,所述第一光刻胶和所述第二光刻胶均为负性胶,所述在所述第一开口内形成所述金属凸块之后,还包括:利用光刻胶去除剂将所述金属凸块两侧的所述第二光刻胶去除,且被所述第二光刻胶包裹的所述保护层以及覆盖在所述保护层上的所述金属层随所述第二光刻胶一并去除。
其中,所述利用电镀的方式在所述第一开口内形成所述金属凸块,之后,还包括:在所述金属凸块远离所述焊盘表面形成金属平坦化层,所述金属平坦化层远离所述焊盘一侧表面平整。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造