[发明专利]由铝电解槽产生的废碳化硅结合氮化硅侧块的处理方法

权利要求书

1.一种由铝电解槽产生的废碳化硅结合氮化硅侧块的处理方法，其特征在于，所述处理方法包括：

将附着在废碳化硅结合氮化硅侧块上的电解质清除，获得预处理废碳化硅结合氮化硅侧块；

将所述预处理废碳化硅结合氮化硅侧块粉碎，获得颗粒；

将所述颗粒加入洗液进行一次洗涤，后固液分离，获得第一固体和第一液体；使用第一脱氟剂对所述第一固体进行二次洗涤，后固液分离，获得碳化硅与氮化硅固体和第二液体；所述第一脱氟剂为氧化钙、氢氧化钙和活性氧化铝的混合物，且所述氧化钙、氢氧化钙和活性氧化铝的质量比为：(6～8)：(3～5)：(1～2)；

所述第一脱氟剂与所述第一固体的重量比为(2～5)：100；

所述碳化硅与氮化硅固体包括：碳化硅：82wt％～85wt％，氮化硅：15wt％～18wt％，三氧化二铁：≤0.2wt％；所述碳化硅与氮化硅固体的可溶氟含量20mg/L；使用第二脱氟剂对所述第一液体进行三次洗涤，后固液分离，获得硅酸钙、氟化钙沉淀和第三液体；

所述第二脱氟剂为氧化钙和活性氧化铝的混合物，且所述氧化钙和活性氧化铝的质量比为：(7～9)：(2～4)；

所述第二脱氟剂与所述第一液体的质量体积比为(10～15：100)g/ml；

所述第三液体的可溶氟含量10mg/L。

2.根据权利要求1所述的一种由铝电解槽产生的废碳化硅结合氮化硅侧块的处理方法，其特征在于，所述颗粒的粒度为800μm～1.5mm。

3.根据权利要求1所述的一种由铝电解槽产生的废碳化硅结合氮化硅侧块的处理方法，其特征在于，所述颗粒与所述洗液的质量体积比为(1：7～10)g/ml。

4.根据权利要求1所述的一种由铝电解槽产生的废碳化硅结合氮化硅侧块的处理方法，其特征在于，所述氧化钙、氢氧化钙和活性氧化铝的质量比为7：4：1.5。