[发明专利]一种过滤装置及半导体加工设备

说明书

本发明公开一种过滤装置及半导体加工设备，所公开的过滤装置用于半导体加工设备，过滤装置包括壳体(100)和滤芯(200)，其中：所述壳体(100)具有第一内腔(110)、入口(120)和出口(130)，所述滤芯(200)设置于所述第一内腔(110)，所述入口(120)与所述第一内腔(110)连通，所述滤芯(200)具有第二内腔(210)，所述出口(130)与所述第二内腔(210)连通，所述滤芯(200)开设有多个滤孔，所述第一内腔(110)与所述第二内腔(210)通过所述滤孔连通。上述方案能够解决硅片加工过程中反应腔室内粉尘量较大的问题。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种过滤装置及半导体加工设备。

背景技术

光伏发电系统是一种利用太阳能电池片材料的“光伏效应”将太阳光辐射能直接装换为电能的一种新型发电系统。太阳能电池，又称光伏电池，是光伏发电系统中核心的器件。目前，技术最成熟，并具有商业价值的、市场应用最广的太阳能电池是晶体硅太阳能电池。太阳光在晶体硅表面的反射损失率高达35％左右，严重影响太阳能电池的最终转换效率。为提高转换效率，即，减少晶体硅表面对太阳光的反射，增加太阳光的折射率，常在晶体硅表面蒸镀一层或多层二氧化硅或氮氧硅或氮化硅减反射膜。减反射膜不但可以减少晶体硅表面对太阳光的发射，而且可以对晶体硅表面起到钝化和保护作用。PECVD(PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积)设备采用的等离子体增强化学气相沉积技术，在低压条件下，利用射频电场使反应气体产生辉光放电，电离出等离子体，促进反应活性基团的生成，从而使得硅烷和氨气能在较低的温度(200℃～450℃)下反应，减少了工艺的复杂性，并有效防止了晶体硅太阳能电池寿命的衰减，广泛应用于晶体硅太阳能电池表面减反射膜的蒸镀。

目前PECVD设备在硅片加工过程中容易产生粉尘，长时间工作后会在真空管道和真空元器件上形成粉尘垢，特别是PERC(Passivated Emitter and Rear Cell，背钝化工艺)电池技术，相较一般的生产工艺，背钝化工艺的工艺气量需要较多地增加，导致反应腔室中粉尘量较大，出现石墨舟和硅片被粉尘污染的问题，石墨舟的清洗次数已经超过了现场设备的清洗能力，且被粉尘污染的硅片的不良率较大；同时，在反应腔室抽真空的过程中，经常出现干泵卡死状况，大量的粉尘造成真空管路的堵塞，导致粉尘倒灌入反应腔室中。

发明内容

本发明公开一种过滤装置及半导体加工设备，能够解决硅片加工过程中反应腔室内粉尘量较大的问题。

为了解决上述问题，本发明采用下述技术方案：

本发明实施例公开一种过滤装置，用于半导体加工设备，包括壳体和滤芯，其中：

所述壳体具有第一内腔、入口和出口，所述滤芯设置于所述第一内腔，所述入口与所述第一内腔连通，所述滤芯具有第二内腔，所述出口与所述第二内腔连通，所述滤芯开设有多个滤孔，所述第一内腔与所述第二内腔通过所述滤孔连通。

本发明实施例公开一种半导体加工设备，包括反应腔室、真空管道、抽气装置和上述的过滤装置，所述真空管道的一端与所述反应腔室连通，另一端与所述入口连通，所述抽气装置与所述出口连通；或，

所述入口与所述反应腔室连通，所述真空管道的一端与所述出口连通，另一端与所述抽气装置连通。

本发明采用的技术方案能够达到以下有益效果：