[发明专利]一种基于热压烧结法制备的氮化硅基片材料

权利要求书

1.一种基于热压烧结法制备的氮化硅基片材料，其特征在于：所述基于热压烧结法制备的氮化硅基片材料以氮化硅(Si₃N₄)、氮化硅镁(MgSiN₂)、助烧剂为原料，所述基于热压烧结法制备的氮化硅基片材料是将氮化硅(Si₃N₄)、氮化硅镁(MgSiN₂)、助烧剂混合均匀，加入溶剂无水乙醇经搅拌研磨40-60小时得到混合均匀的浆料，混合浆料经100-120℃烘干、过40-200目筛得到氮化硅基片配方粉，所述氮化硅基片配方粉经干压成型后，在惰性或还原性气氛下，在20-45MPa的压力下、1700-1850℃下热压烧结1-3小时制得。

2.根据权利要求1所述的基于热压烧结法制备的氮化硅基片材料，其特征在于：所述助烧剂为氧化钇(Y₂O₃)，所述氮化硅(Si₃N₄)、氮化硅镁(MgSiN₂)、氧化钇(Y₂O₃)由以下重量份数制成：氮化硅(Si₃N₄)90-96份；氮化硅镁(MgSiN₂)3-8份；氧化钇(Y₂O₃)1-2份。

3.根据权利要求1所述的基于热压烧结法制备的氮化硅基片材料，其特征在于：所述助烧剂为氧化镱(Yb₂O₃)，所述氮化硅(Si₃N₄)、氮化硅镁(MgSiN₂)、氧化镱(Yb₂O₃)由以下重量份数制成：氮化硅(Si₃N₄)90-96份；氮化硅镁(MgSiN₂)2.5-8份；氧化镱(Yb₂O₃)1.5-2份。

4.根据权利要求1所述的基于热压烧结法制备的氮化硅基片材料，其特征在于：所述助烧剂为氧化铈(CeO₂)，所述氮化硅(Si₃N₄)、氮化硅镁(MgSiN₂)、氧化铈(CeO₂)由以下重量份数制成：氮化硅(Si₃N₄)90-96份；氮化硅镁(MgSiN₂)2-6份；氧化铈(CeO₂)2-4份。

5.根据权利要求1所述的基于热压烧结法制备的氮化硅基片材料，其特征在于：所述助烧剂为氧化镧(La₂O₃)，所述氮化硅(Si₃N₄)、氮化硅镁(MgSiN₂)、氧化镧(La₂O₃)由以下重量份数制成：氮化硅(Si₃N₄)90-96份；氮化硅镁(MgSiN₂)3-4份；氧化镧(La₂O₃)1-6份。