[发明专利]一种晶硅电池背钝化叠层结构及制备工艺在审
| 申请号： | 202010516003.6 | 申请日： | 2020-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN111628010A | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 张波;杨飞飞;赵彩霞;李雪方;郭丽;吕爱武;杜泽霖;李陈阳;赵科魏;鲁贵林 | 申请（专利权）人： | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18;C23C16/30;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/455;C23C16/50 |
| 代理公司： | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人： | 李富元 |
| 地址： | 046000 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电池 钝化 结构 制备 工艺 | ||
1.一种晶硅电池背钝化叠层结构，其特征在于：背面膜层结构自下而上为SixNy/SiOxNy/AlOx，AlOx膜之上为P型硅基体，其中，氧化铝AlOx膜层的折射率为1.6-1.65，膜厚为5-10nm，氮氧化硅SiOxNy膜层的折射率为1.7-2.0，厚度为10-20nm, 氮化硅SixNy减反膜层的折射率为2.1-2.3，厚度为100-120nm，叠层总厚度为100-150nm，x和y为正实数。
2.根据权利要求1所述的一种晶硅电池背钝化叠层结构，其特征在于：AlOx与P型硅基体之间有氢钝化夹层。
3.一种晶硅电池背钝化叠层结构的制备工艺，其特征在于：采用等离子体增强化学气相沉积技术PECVD，按如下的步骤进行
步骤一、氧化铝AlOx膜层的制备，工艺气体为三甲基铝TMA，同时通笑气N2O，制备所得AlOx的折射率为1.6-1.65，膜厚为5-10nm，主要对硅基体背表面进行细钝化，氧化铝膜层内的负电荷可对硅基体背表面实现场钝化，减少表面复合速率；
步骤二、氮氧化硅SiOxNy膜层的制备，氧源为N2O，同时通硅烷SiH4和氨气NH3，制备所得SiOxNy膜层的折射率为1.7-2.0，厚度为10-20nm,此膜层主要实现对硅基体的粗钝化，由于PECVD方式制备所得氧化铝致密度低，表面化学钝化效果差，利用氮氧化硅层可进一步增强表面钝化效果，提高转换效率；
步骤三、氮化硅SixNy减反膜层的制备，通SiH4和NH3，制备所得SixNy的折射率为2.1-2.3，厚度为100-120nm，作为减反膜，可增加背表面的反射光，提高光子利用率。
4.根据权利要求3所述的一种晶硅电池背钝化叠层结构的制备工艺，其特征在于：在氧化铝AlOx膜层的制备前首先制备氢钝化夹层，制备过程为，通N2和NH3，维持5min，实现对硅基体的氢钝化，减少硅基体内部的缺陷密度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
