[发明专利]一种磁集成全桥LLC谐振变换器有效
申请号: | 202010516044.5 | 申请日: | 2020-06-09 |
公开(公告)号: | CN111628656B | 公开(公告)日: | 2022-10-18 |
发明(设计)人: | 高圣伟;赵子祎;王浩;查茜 | 申请(专利权)人: | 天津工业大学 |
主分类号: | H02M3/335 | 分类号: | H02M3/335;H01F27/34;H01F27/30;H01F27/24 |
代理公司: | 天津英扬昊睿专利代理事务所(普通合伙) 12227 | 代理人: | 徐忠丽 |
地址: | 300000 *** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 集成 llc 谐振 变换器 | ||
1.一种磁集成全桥LLC谐振变换器,包括:原边直流电源、输入滤波电容、原边逆变桥、谐振及电压变换、副边整流桥、输出滤波电容Co、输出负载;所述原边直流电源分别和输入滤波电容、输出滤波电容、输出负载、原边逆变桥、谐振及电压变换、副边整流桥连接;所述谐振及电压变换由谐振电容Cr及磁集成结构组成;
所述原边逆变桥由开关器件Q1、开关器件Q2、开关器件Q3、开关器件Q4组成,所述开关器件Q1的源极同开关器件Q2的漏极相连接,所述开关器件Q3的源极同开关器件Q4的漏极相连接,所述开关器件Q1的漏极同开关器件Q3的漏极相连接,所述开关器件Q2的源极同开关器件Q4的源极相连接;
所述谐振及电压变换由谐振电容Cr及磁集成结构组成,所述磁集成结构包括磁集成结构端口1、磁集成结构端口2、磁集成结构端口3、磁集成结构端口4,所述原边逆变桥分别和谐振电容及磁集成结构端口1连接,所述谐振电容和磁集成结构端口2连接,所述磁集成结构端口3、磁集成结构端口4分别和副边整流桥连接;
所述副边整流桥由整流二极管Dr1、整流二极管Dr2、整流二极管Dr3、整流二极管Dr4组成,所述整流二极管Dr1的阳极同整流二极管Dr2的阴极相连接,所述整流二极管Dr3的阳极同整流二极管Dr4的阴极相连接,所述整流二极管Dr1的阴极同整流二极管Dr3的阴极相连接,所述整流二极管Dr2的阳极同整流二极管Dr4的阳极相连接;
所述输入滤波电容Cin同原边逆变桥的开关器件Q1漏极、开关器件Q3漏极和开关器件Q2源极、开关器件Q4源极相连接;
所述输出滤波电容C0同副边的整流二极管Dr1的阴极、整流二极管Dr3的阴极和整流二极管Dr2的阳极、整流二极管Dr4的阳极相连接;
所述原边直流电源Vin同输入滤波电容Cin相连接;
所述输出负载R0同输出滤波电容C0相连接;
所述磁集成结构端口1同原边逆变桥端口A相连接,所述磁集成结构端口2连接谐振电容Cr后同原边逆变桥端口B相连接,所述磁集成结构端口3同副边整流桥侧端口C相连接,所述磁集成结构端口4同副边整流桥侧端口D相连接;
其特征在于,所述磁集成结构由磁芯、原边绕组NP、副边绕组NS、谐振电感第一绕组Lr1、谐振电感第二绕组Lr2组成;所述磁芯为“圆柱”型结构,所述磁芯由磁芯侧柱I、磁芯侧柱II、磁芯中柱III组成,所述原边绕组NP绕在磁芯中柱Ⅲ上,所述副边绕组NS绕在磁芯中柱Ⅲ上,所述谐振电感第一绕组Lr1绕在磁芯侧柱Ⅰ上,所述谐振电感第二绕组Lr2绕在磁芯侧柱Ⅱ上;
其中谐振电感第一绕组Lr1的同名端作为磁集成结构端口1,所述谐振电感第一绕组Lr1异名端同谐振电感第二绕组Lr2同名端相连接,所述原边绕组NP同名端同谐振电感第二绕组Lr2异名端相连接,所述原边绕组NP异名端作为磁集成结构端口2,所述副边绕组NS同名端作为磁集成结构端口3、副边绕组NS异名端作为磁集成结构端口4。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津工业大学,未经天津工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010516044.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种晶硅电池背钝化叠层结构及制备工艺
- 下一篇:半导体封装件