[发明专利]一种氢化物掺杂的稀土钨电极材料及制备方法有效
申请号: | 202010516339.2 | 申请日: | 2020-06-09 |
公开(公告)号: | CN111850331B | 公开(公告)日: | 2022-01-07 |
发明(设计)人: | 杨建参;郑艾龙;张莹超;黄志民 | 申请(专利权)人: | 厦门虹鹭钨钼工业有限公司;北京工业大学 |
主分类号: | C22C1/04 | 分类号: | C22C1/04;C22C27/04;H01J1/142 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 张立改 |
地址: | 361021 福建省厦门*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氢化物 掺杂 稀土 电极 材料 制备 方法 | ||
1.一种氢化物掺杂的稀土钨电极材料,其特征在于,在金属钨中加入稀土氧化物La2O3与Y2O3、氢化物ZrH2;氧化镧(La2O3)的质量百分含量为1%~3%,氧化钇(Y2O3)的质量百分含量为0.05%~0.1%,氢化锆ZrH2的质量百分含量为0.05%~0.1%;
制备方法包括以下步骤:
(1)选择粉末粒度为0.5-1.5μm的钨粉、200nm-1μm的氧化镧与氧化钇粉、10μm-100μm的氢化锆粉为原料,在氮气保护气氛下装入球磨机中进行球磨混料,混料时间不低于5h,球磨机的转速为300-500r/min,并每间隔1-2.5h停歇15min;
(2)将步骤(1)混合均匀的粉末进行真空热压烧结,烧结过程中真空环境应不高于0.1Pa;试样所受压制压强为50~70MPa;升温速率:室温~1100℃之间升温速率不高于15℃/min,1100-1600℃之间的升温速率不大于3℃/min;在1600℃保温时间40-80min,制备获得稀土钨电极材料。
2.制备权利要求1所述的氢化物掺杂的稀土钨电极材料的方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)选择粉末粒度为0.5-1.5μm的钨粉、200nm-1μm的氧化镧与氧化钇粉、10μm-100μm的氢化锆粉为原料,在氮气保护气氛下装入球磨机中进行球磨混料,混料时间不低于5h,球磨机的转速为300-500r/min,并每间隔1-2.5h停歇15min;
(2)将步骤(1)混合均匀的粉末进行真空热压烧结,烧结过程中真空环境应不高于0.1Pa;试样所受压制压强为50~70MPa;升温速率:室温~1100℃之间升温速率不高于15℃/min,1100-1600℃之间的升温速率不大于3℃/min;在1600℃保温时间40-80min,制备获得稀土钨电极材料。
3.按照权利要求2所述的方法,其特征在于,室温~1100℃之间升温速率10-15℃/min。
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