[发明专利]三维存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底，其中，所述衬底包括堆叠面；

自所述衬底的堆叠面在衬底中形成包括阻隔层和牺牲层的填充结构，其中，所述阻隔层围设在所述牺牲层的周边；

在所述衬底的堆叠面形成叠层结构；

形成贯穿所述叠层结构且暴露出所述牺牲层的沟道孔；

移除所述牺牲层，以使所述叠层结构和所述阻隔层配合形成与所述沟道孔连通的开槽；

形成贯穿所述叠层结构和所述阻隔层且暴露出所述衬底的栅缝隙，其中，所述栅缝隙与所述沟道孔间隔设置；以及，

形成位于所述开槽和所述沟道孔的沟道层以及位于所述栅缝隙的外延层，以使所述沟道层和所述外延层连接。

2.如权利要求1所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，在所述移除所述牺牲层，以使所述叠层结构和所述阻隔层配合形成与所述沟道孔连通的开槽之后，以及，在所述形成贯穿所述叠层结构和所述阻隔层且暴露出所述衬底的栅缝隙之前，所述方法包括：

在所述沟道孔的侧壁和所述开槽的槽壁依次形成阻挡层、电荷捕获层、隧穿层以及第一沟道层，其中，所述开槽中位于所述叠层结构侧的第一沟道层与位于所述阻隔层侧的第一沟道层之间形成间隙。

3.如权利要求2所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，所述形成位于所述开槽和所述沟道孔的沟道层，包括：

在所述开槽内沿所述第一沟道层形成充满所述间隙的第二沟道层，以使所述第二沟道层与所述第一沟道层连接形成沟道层。

4.如权利要求2所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，在所述在所述沟道孔的侧壁和所述开槽的槽壁依次形成阻挡层、电荷捕获层、隧穿层以及第一沟道层之后，以及所述形成贯穿所述叠层结构和所述阻隔层且暴露出所述衬底的栅缝隙之前，所述方法包括：

在所述沟道孔内填充沟道氧化物。

5.如权利要求1所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底中形成包括阻隔层和牺牲层的填充结构，包括：

自所述衬底的堆叠面在所述衬底中形成凹槽；

在所述凹槽内形成阻隔层；以及，

在所述阻隔层的表面形成覆盖所述阻隔层且填充所述凹槽的牺牲层。

6.如权利要求5所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底中形成凹槽，包括：

在所述衬底的堆叠面形成硬掩膜层；

图案化所述硬掩膜层，形成硬掩膜图案；以及，

以所述硬掩膜图案为掩膜在所述衬底中形成凹槽。

7.如权利要求1所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，所述牺牲层的厚度范围在100nm～200nm之间。

8.如权利要求1所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，所述填充结构的顶面与所述衬底的堆叠面共面。

9.如权利要求1所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，所述堆叠面的任意一边为第一边，所述顶面的任意一边为第二边，所述第一边的延伸方向和所述第二边的延伸方向相交。

10.一种三维存储器，其特征在于，包括采用如权利要求1-9任一项所述的三维存储器的制备方法制备。