[发明专利]氮化铝单晶基板及其制造方法在审
| 申请号： | 202010518150.7 | 申请日： | 2011-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN111621852A | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 纐缬明伯;熊谷义直;永岛彻;平连有纪 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人东京农工大学;株式会社德山 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/02;C30B25/08;H01L21/02;H01L33/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 铝单晶基板 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种氮化铝单晶，其特征在于，
碳的浓度为1×1014atoms/cm3以上且小于3×1017atoms/cm3，氯的浓度为1×1014～1×1017atoms/cm3，波长265nm下的吸收系数为40cm－1以下。
2.根据权利要求1所述的氮化铝单晶，其中，
所述氮化铝单晶中所含的碳、氯、硼、硅、氧的浓度的总和为1×1015～1×1020atoms/cm3。
3.根据权利要求1或2所述的氮化铝单晶，其中，
所述氮化铝单晶的(0002)面的X射线摇摆曲线的半辐值为3000秒以下。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的氮化铝单晶，其中，
在光致发光测定中，能确认有作为氮化铝的带边发光的209nm的峰。
5.一种氮化铝单晶的制造方法，其是通过利用氢化物气相外延法在单晶基板上生长氮化铝单晶而制造权利要求1所述的氮化铝单晶的方法，其特征在于，
在1200℃以上且1700℃以下的温度下在所述基板上生长氮化铝单晶，并且使用以选自由BN、TaC、W及Mo构成的组的至少1种来构成氢化物气相外延装置内的在晶体生长时达到1200℃以上的区域的露出表面的装置。
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