[发明专利]一种激光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种激光二极管，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底具有相对的第一表面和第二表面；

形成在所述衬底的第一表面的外延层，所述外延层在顶部形成有脊；

形成在所述脊的上方的第二电极接触层；

形成在所述脊的侧壁及上方的光场包覆层，其折射率为1.3～1.9，所述光场包覆层包括包覆所述脊的侧壁的第一部分及形成在所述脊的上方的第二部分，所述光场包覆层的所述第二部分包括形成在所述脊的上方且沿脊的延伸方向覆盖第二电极接触层表面的边缘部分以及形成在所述脊上方的中间部分，所述中间部分嵌入式形成在第二电极接触层中，并且在第二电极接触层中形成间隔的岛状结构，在所述激光二极管的出光面至反射面的方向上，所述间隔的岛状结构之间的间隔距离逐渐减小；

所述光场包覆层的折射率低于所述第二电极接触层的折射率；

其中所述光场包覆层的第二部分在所述脊的上表面的面积占比为20％以上。

2.根据权利要求1所述的激光二极管，其特征在于：还包括一第二电极，形成在所述光场包覆层的上方，并与所述第二电极接触层形成电性连接。

3.根据权利要求2所述的激光二极管，其特征在于：所述光场包覆层的第二部分位于所述第二电极接触层与所述第二电极之间，并至少露出部分所述第二电极接触层，使得第二电极与所述第二电极接触层接触。

4.根据权利要求1所述的激光二极管，其特征在于：所述光场包覆层的第二部分在所述脊的上表面的面积占比为20％～80％。

5.根据权利要求1所述的激光二极管，其特征在于：所述光场包覆层的材料选自SiO₂，Al₂O₃，MgF，CaF，MgO，AlN，SiNO中的一种或其组合。

6.根据权利要求1所述的激光二极管，其特征在于，所述第二电极接触层及所述光场包覆层的总厚度为λ/(4n)的奇数倍，其中λ为所述激光二极管的发光波长，n为大于等于1的整数。

7.根据权利要求1所述的激光二极管，其特征在于，所述光场包覆层、所述第二电极接触层以及所述外延层的折射率依次增大。

8.一种激光二极管，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底具有相对的第一表面和第二表面；

形成在所述衬底的第一表面的外延层，所述外延层在顶部形成有脊；

形成在所述脊的上方的第二电极接触层；

形成在所述脊的侧壁及上方的光场包覆层，其折射率小于所述第二电极接触层的折射率，所述光场包覆层包括包覆所述脊的侧壁的第一部分及形成在所述脊的上方的第二部分，所述第二部分沿所述脊的延伸方向覆盖所述第二电极接触层的表面的边缘，且至少覆盖所述脊的部分中间区域，所述第二电极接触层上具有多个暴露部，暴露出所述外延层的表面，所述光场包覆层的第二部分至少一部分通过所述暴露部接触所述外延层，所述多个暴露部在所述激光二极管的出光面至反射面的方向上间隔设置，在所述激光二极管的出光面至反射面的方向上，所述多个暴露部之间的间隔距离逐渐减小。

9.根据权利要求8所述的激光二极管，其特征在于：所述光场包覆层的第二部分在所述脊的上表面的面积占比为20％～80％。

10.根据权利要求8所述的激光二极管，其特征在于：所述光场包覆层的材料选自SiO₂，Al₂O₃，MgF，CaF，MgO，AlN，SiNO中的一种或其组合。

11.根据权利要求8所述的激光二极管，其特征在于：所述第二电极接触层及所述光场包覆层的总厚度为λ/(4n)的奇数倍，其中λ为所述激光二极管的发光波长，n为大于等于1的整数。