[发明专利]一种新的碱抛下实现LDSE的制备工艺

权利要求书

1.一种新的碱抛下实现LDSE的制备工艺，其特征在于：顺序按照双面碱抛光、背面钝化及减反膜层、清洗制绒、扩散制结、激光掺杂、去PSG、正面氧化、正面氮化硅膜制备、背面激光开膜、丝网印刷及高温烧结工艺进行，背面钝化及减反膜层工艺步骤中，采用PECVD的方式，氮化硅膜层总厚度150-200nm，氮化硅膜层保护下，背面不参与后续的清洗制绒、扩散制结、激光掺杂工艺，避免背面刻蚀对激光消融区域的刻蚀。

2.根据权利要求1所述的一种新的碱抛下实现LDSE的制备工艺，其特征在于：双面碱抛光中，使用碱刻蚀，刻蚀量控制在0.14-0.17g，反射率35%-45%。

3.根据权利要求1所述的一种新的碱抛下实现LDSE的制备工艺，其特征在于：清洗制绒，制绒使用槽式碱制绒，首先利用HF槽进行预清洗，去除正面绕度；硅片单面进行制绒，刻蚀量控制在0.17-0.25g，反射率7%-12%。