[发明专利]一种新的P型晶硅电池结构及其制备工艺在审
| 申请号： | 202010519050.6 | 申请日： | 2020-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN111584666A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 杨飞飞;张波;李雪芳;张云鹏;郭丽;吕爱武;杜泽霖;李陈阳;赵科巍;鲁贵林 | 申请（专利权）人： | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L31/068 | 分类号： | H01L31/068;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人： | 李富元 |
| 地址： | 046000 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 型晶硅 电池 结构 及其 制备 工艺 | ||
1.一种新的P型晶硅电池结构，其特征在于：背面膜层结构自下而上为SixNy/SiOxNy/BSG/P++，其中膜之上为P型硅本体，其中P++层厚100-200nm，硅基体背表面掺杂浓度为1*1019-5*1019/cm-3之间，BSG膜厚为3-5nm，掺杂浓度为3*1020-5*1020/cm-3，SiOxNy的折射率为1.7-2.0，厚度为3-5nm，SixNy的折射率为2.1-2.3，厚度为120-150nm。
2.一种权利要求1所述的新的P型晶硅电池结构制备工艺，其特征在于：背面膜层结构制备过程安如下的步骤进行
步骤一、背面P++及BSG膜层的制备，采用硼扩散方式，石英炉管通工艺气体BBr3、携带气体N2、反应气体O2，通过高温沉积一层BSG，然后在N2和O2氛围下进行推进，与硅片背面形成P++层，其中P++层厚100-200nm，硅基体背表面掺杂浓度为1*1019-5*1019/cm-3之间，BSG膜厚为3-5nm，掺杂浓度为3*1020-5*1020/cm-3；
步骤二、背面清洗，清洗边缘与背面BSG；
步骤三、背面SixNy/SiOxNy膜层的制备，采用PECVD的方式，首先沉积SiOxNy，氧源为N2O，同时通硅烷（SiH4）和NH3，制备所得SiOxNy的折射率为1.7-2.0，厚度为3-5nm； SixNy的沉积，通SiH4和NH3，制备所得SixNy的折射率为2.1-2.3，厚度为120-150nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
