[发明专利]一种新型晶硅PERC电池前氧化层制备工艺有效
| 申请号： | 202010519116.1 | 申请日： | 2020-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN111564530B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 杨飞飞;李雪方;张波;鲁贵林;赵科魏;郭丽;吕爱武;杜泽霖;李陈阳 | 申请（专利权）人： | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/068;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/455;C23C16/505 |
| 代理公司： | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人： | 李富元 |
| 地址： | 046000 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 perc 电池 氧化 制备 工艺 | ||
1.一种新型晶硅PERC电池前氧化层制备工艺，其特征在于：按照清洗制绒、扩散制结、背面刻蚀、双面氧化铝制备、正面氮化硅膜制备、背面氮化硅膜的制备、背面激光开槽、正背电极的制备的工艺过程进行；双面氧化铝制备过程中，将硅片插入铝制花篮中，循环通入TMA和水蒸气，在硅片的正、背面各制备一层3-5nm的氧化铝膜；正面氮化硅膜制备过程中，将制备完双面氧化铝的硅片，放入石墨舟，在管式PECVD中制备氮化硅，通入NH3和N2气后，接通射频源，通过高能等离子体将正面氧化铝膜层打掉，同时形成一层氧化硅层。
2.根据权利要求1所述的一种新型晶硅PERC电池前氧化层制备工艺，其特征在于：双面氧化铝制备过程的具体工艺为：利用ALD设备，制备厚度3-5nm，折射率1.6-1.65的双面氧化铝膜层，制备过程中，周期性通入TMA及H2O,其中TMA通入流量为15-20sccm,反应时间为2.5-3.5s，吹扫时间为6-8s；H2O通入流量为15-20sccm,反应时间为2.5-3.5s，吹扫时间为10-15s，共32个周期。
3.根据权利要求1所述的一种新型晶硅PERC电池前氧化层制备工艺，其特征在于：正面氮化硅膜制备过程的具体工艺为：在管式PECVD中制备氮化硅，首先进行预处理，通入NH3和N2，其中管内压力为2000-2500mTorr，温度400-450℃，功率为12000-14000W，脉冲开关比为1:10, NH3/N2= 1:1至3:1，时间180-250s；然后通入NH3和SiH4，压力为1000-2000mTorr,温度450-500℃，功率为11000-13000W,脉冲开关比为1:12，所通SiH4/NH3 =1/4至1/10,时间为550-650s。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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