[发明专利]体声波谐振器及其制造方法、滤波器、电子设备

说明书

一种体声波谐振器及其制造方法、滤波器、电子设备，制造方法包括：提供衬底，衬底中形成有凹槽；形成位于凹槽中的牺牲层；形成位于牺牲层上的底部电极，底部电极的部分边界位于凹槽上方，部分延伸至凹槽外周的衬底上；形成位于底部电极露出的衬底上并与底部电极侧壁相接触的平坦层，平坦层顶面和底部电极顶面相齐平；形成覆盖底部电极和平坦层的压电层；在压电层上形成顶部电极，压电声学共振叠层包括底部电极、压电层和顶部电极；形成贯穿压电声学共振叠层的释放孔；通过释放孔去除牺牲层，形成空腔。本发明形成底部电极和平坦层，为压电层的形成提供平坦面，使压电层能够保持平整，从而消除边界驻波和杂波，进而提高谐振器的品质因数。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种体声波谐振器及其制造方法、滤波器、电子设备。

背景技术

随着无线通信技术的发展，传统的单频带单制式设备已经不能满足通讯系统多样化的要求。目前，通讯系统越来越趋向多频段化，这就要求通讯终端能够接受各个频带以满足不同的通讯服务商和不同地区的要求。

RF(射频)滤波器通常被用于通过或阻挡RF信号中的特定频率或频带。为了满足无线通信技术的发展需求，要求通讯终端使用的RF滤波器可以实现多频带、多制式的通讯技术要求，同时要求通讯终端中的RF滤波器不断向微型化、集成化方向发展，且每个频带采用一个或多个RF滤波器。

RF滤波器最主要的指标包括品质因数Q和插入损耗。随着不同频带间的频率差异越来越小，RF滤波器需要非常好的选择性，让频带内的信号通过并阻挡频带外的信号。Q值越大，则RF滤波器可以实现越窄的通带带宽，从而实现较好的选择性。

发明内容

本发明实施例解决的问题是提供一种体声波振器及其制造方法、滤波器、电子设备，提高体声波谐振器的品质因数。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种体声波谐振器的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底中形成有凹槽；填充所述凹槽，形成位于所述凹槽中的牺牲层；形成位于所述牺牲层上的底部电极，所述底部电极的部分边界位于所述凹槽上方，部分延伸至所述凹槽外周的所述衬底上；形成位于所述底部电极露出的所述衬底上并与所述底部电极侧壁相接触的平坦层，所述平坦层的顶面和所述底部电极的顶面相齐平；形成覆盖所述底部电极和平坦层的压电层；在所述压电层上形成顶部电极，压电声学共振叠层包括底部电极、压电层和顶部电极；形成贯穿所述声学换能器的释放孔；通过所述释放孔去除所述牺牲层，形成空腔。

相应的，本发明实施例还提供一种体声波谐振器，包括：衬底，所述衬底中具有空腔；压电声学共振叠层，位于所述衬底上，所述压电声学共振叠层包括部分边界位于所述空腔上、部分延伸至所述空腔外的底部电极、位于所述底部电极上且具有在所述底部电极的端部平整延伸的压电层、以及位于所述压电层上表面的顶部电极；与所述底部电极位于同一层，所述平坦层顶面与所述底部电极顶面相齐平，且与所述底部电极之间具有间隙；释放孔，贯穿所述声学换能器且与所述空腔相连通。

相应的，本发明实施例还提供另一种体声波谐振器，包括：衬底，所述衬底中具有空腔；压电声学共振叠层，位于所述衬底上，所述压电声学共振叠层包括部分边界位于所述空腔上、部分延伸至所述空腔外的底部电极、位于所述底部电极上且具有在所述底部电极的端部平整延伸的压电层、以及位于所述压电层上表面的顶部电极；平坦层，与所述底部电极位于同一层，所述平坦层顶面与所述底部电极顶面相平，所述平坦层与所述底部电极接触，且覆盖所述底部电极露出的所述衬底；释放孔，贯穿所述压电声学共振叠层且与所述空腔相连通。

相应的，本发明实施例还提供一种滤波器，包括本发明第一实施例提供的体声波谐振器。

相应的，本发明实施例还提供另一种滤波器，包括本发明第二实施例提供的体声波谐振器。

相应的，本发明实施例还提供一种电子设备，包括本发明第一实施例提供的滤波器。