[发明专利]用于强子治疗设备的质量保证的模体和方法有效

专利信息
申请号: 202010520535.7 申请日: 2020-06-09
公开(公告)号: CN112076397B 公开(公告)日: 2022-08-09
发明(设计)人: 西蒙·马赛利斯;塞维琳·罗索姆;盖洛·德罗伊斯萨特;约亨·克里默 申请(专利权)人: 离子束应用股份有限公司
主分类号: A61N5/10 分类号: A61N5/10
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 武娟;杨明钊
地址: 比利时*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 治疗 设备 质量保证 方法
【权利要求书】:

1.一种用于可在调强粒子治疗(IMPT)模式中使用的强子治疗设备的质量保证的模体(10),所述强子治疗设备被配置用于产生具有介于低能量极限与高能量极限之间的能量的强子束,该模体包括:

a)框架结构(30),该框架结构包括底板(35),该底板具有第一边缘(50)和与所述第一边缘平行的第二边缘(60);

b)一个或多个能量楔形件(70),每个能量楔形件具有能量楔形件底面(75)、相对于所述能量楔形件底面倾斜的能量楔形件第一面(80)以及垂直于所述能量楔形件底面(75)的能量楔形件第二面(90),

所述一个或多个能量楔形件(70)安装在所述底板(35)上,所述能量楔形件第二面(90)平行于所述第二边缘(60);

c)2D检测器(200),该2D检测器布置在所述第二边缘(60)处并垂直于所述底板(35)安装;

所述一个或多个能量楔形件(70)和2D检测器(200)相对于所述框架结构(30)处于已知的固定位置,

其特征在于,所述模体(10)包括扩展布拉格峰SOBP楔形件(170),所述SOBP楔形件(170)具有SOBP楔形件底面(175)、相对于所述SOBP楔形件底面倾斜的SOBP楔形件第一面(180)以及垂直于所述SOBP楔形件底面(175)的SOBP楔形件第二面(190),所述SOBP楔形件(170)安装在所述底板(35)上,所述SOBP楔形件第二面平行于所述第二边缘,

所述SOBP楔形件(170)由相对密度高于1.3的材料制成,沿着平行于所述SOBP楔形件底面(175)的线测量的所述SOBP楔形件第一面(180)与所述SOBP楔形件第二面(190)之间的距离在零与具有等于所述高能量极限的能量的强子束在所述材料中的穿透深度之间变化。

2.根据权利要求1所述的模体(10),其特征在于,所述SOBP楔形件(170)由相对密度高于1.5的材料制成。

3.根据权利要求2所述的模体(10),其特征在于,所述SOBP楔形件(170)由相对密度高于1.7的材料制成。

4.根据权利要求1所述的模体(10),其特征在于,所述能量楔形件中的至少一个由相对密度高于1.3的相同材料制成。

5.根据权利要求4所述的模体(10),其特征在于,所述能量楔形件中的至少一个由相对密度高于1.5的相同材料制成。

6.根据权利要求5所述的模体(10),其特征在于,所述能量楔形件中的至少一个由相对密度高于1.7的相同材料制成。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的模体(10),其特征在于,所述材料选自聚偏二氟乙烯、聚酰亚胺、聚醚醚酮聚合物、及其混合物。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的模体(10),其特征在于,所述框架结构包括固定在所述底板(35)和所述2D检测器(200)上的一个或两个手柄(32)。

9.根据权利要求7所述的模体(10),其特征在于,所述框架结构包括固定在所述底板(35)和所述2D检测器(200)上的一个或两个手柄(32)。

10.根据权利要求1至6、9中任一项所述的模体(10),其特征在于,所述2D检测器(180)包括非晶硅有源平板检测器。

11.根据权利要求7所述的模体(10),其特征在于,所述2D检测器(180)包括非晶硅有源平板检测器。

12.根据权利要求8所述的模体(10),其特征在于,所述2D检测器(180)包括非晶硅有源平板检测器。

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