[发明专利]一种硅片边抛补液系统、补液方法及硅片边抛方法在审
| 申请号： | 202010521251.X | 申请日： | 2020-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN111546239A | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 孙晨光;张宏杰;武卫;刘建伟;由佰玲;刘园;常雪岩;谢艳;杨春雪;刘秒;裴坤羽;祝斌;刘姣龙;王彦君;吕莹;徐荣清 | 申请（专利权）人： | 天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | B24B57/02 | 分类号： | B24B57/02;B24B9/06;B24B29/02;B24B1/00 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300384 天津市滨海*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 补液 系统 方法 | ||
1.一种硅片边抛补液系统，其特征在于：包括补充液盛装装置、边抛液PH检测装置、边抛液供给箱、供液动力装置和控制装置，其中，
所述边抛液PH检测装置设于所述边抛液供给箱上，对所述边抛液供给箱中的边抛液的PH值进行检测；
所述供液动力装置分别与所述边抛液供给箱和所述补充液盛装装置连接，为所述边抛液供给箱供给补充液；
所述边抛液PH检测装置与所述供液动力装置均与所述控制装置电连接，所述控制装置根据所述边抛液PH检测装置检测的边抛液PH值信号控制所述供液动力装置动作。
2.根据权利要求1所述的硅片边抛补液系统，其特征在于：还包括流量检测装置，所述流量检测装置设于所述供液动力装置的出液端，检测进入所述边抛液供给箱的补充液的流量。
3.根据权利要求1或2所述的硅片边抛补液系统，其特征在于：所述边抛液PH检测装置为PH检测仪。
4.根据权利要求3所述的硅片边抛补液系统，其特征在于：所述供液动力装置为供液泵。
5.根据权利要求4所述的硅片边抛补液系统，其特征在于：所述控制装置为PLC控制器。
6.一种硅片边抛补液方法，其特征在于：采用如权利要求1-5任一项所述的一种硅片边抛补液系统进行补液，在进行补液的过程中，设定所述供液动力装置的流量、边抛液PH检测装置的PH值的上限值和下限值，使得所述补充液盛装装置对所述边抛液供给箱进行补液。
7.根据权利要求6所述的硅片边抛补液方法，其特征在于：所述供液动力装置的流量为10ml/s。
8.根据权利要求6所述的硅片边抛补液方法，其特征在于：所述PH值的上限值为10.30-10.50。
9.根据权利要求6所述的硅片边抛补液方法，其特征在于：所述PH值的下限值为10.00-10.20。
10.一种硅片边抛方法，其特征在于：在硅片边抛的过程中，采用如权利要求6-9任一项所述的硅片边抛补液方法进行边抛液补液，同时设定不同的工位的参数，所述参数包括：
V槽工位：抛光压力为4-11N,抛光时间为20-50s，抛光角度为0度、40-50度和-(40-50)度；
边缘工位：抛光头转速为220-300rmp，时间为40-80s；
抛光液PH值为10-12。
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