[发明专利]DRAM接口读校验的接口参数适配方法及存储介质在审
| 申请号： | 202010522534.6 | 申请日： | 2020-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN111858195A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 汤云平 | 申请（专利权）人： | 瑞芯微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F11/22 | 分类号： | G06F11/22;G06F11/273 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 林祥翔;徐剑兵 |
| 地址： | 350003 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | dram 接口 校验 参数 配方 存储 介质 | ||
【权利要求书】：
1.一种DRAM接口读校验的接口参数适配方法，其特征在于，包括如下步骤，将内存颗粒调整至额定频率运行，写入校验数据，再将内存颗粒调整至高于额定频率，调整时序参数，读取校验数据并进行校验，得到可以获得正确校验数据的时序参数区间，根据所述时序参数区间得到最优时序参数。
2.根据权利要求1所述的DRAM接口读校验的接口参数适配方法，其特征在于，所述最优时序参数为时序参数区间的中值。
3.根据权利要求1所述的DRAM接口读校验的接口参数适配方法，其特征在于，所述时序参数包括相位。
4.一种DRAM接口读校验的接口参数适配存储介质，其特征在于，存储有计算机程序，所述计算机程序在被运行时执行包括如下步骤，将内存颗粒调整至额定频率运行，写入校验数据，再将内存颗粒调整至高于额定频率，调整时序参数，读取校验数据并进行校验，得到可以获得正确校验数据的时序参数区间，根据所述时序参数区间得到最优时序参数。
5.根据权利要求4所述的DRAM接口读校验的接口参数适配存储介质，其特征在于，所述最优时序参数为时序参数区间的中值。
6.根据权利要求4所述的DRAM接口读校验的接口参数适配存储介质，其特征在于，所述时序参数包括相位。
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