[发明专利]一种基于复合式光栅的微位移传感器有效
申请号: | 202010523030.6 | 申请日: | 2020-06-10 |
公开(公告)号: | CN111536883B | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 辛晨光;李孟委;亓杰;张瑞;金丽 | 申请(专利权)人: | 中北大学 |
主分类号: | G01B11/02 | 分类号: | G01B11/02 |
代理公司: | 太原荣信德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14119 | 代理人: | 杨凯;连慧敏 |
地址: | 030051 山*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 复合 光栅 位移 传感器 | ||
1.一种基于复合式光栅的微位移传感器,其特征在于:包括激光器(1)、分束光栅(2)、第一反射镜(31)、第二反射镜(32)、第三反射镜(33)、分束镜(4)、干涉仪探测器(5)、上层光栅(6)、位移反射镜(7)、第一下层光栅(81)、第二下层光栅(82)、第一探测器(91)、第二探测器(92),所述激光器(1)的下方设置有分束光栅(2),所述分束光栅(2)的正一级衍射光路和负一级衍射光路上分别设置有第一反射镜(31)、第二反射镜(32),所述第二反射镜(32)的反射光路上设置有第三反射镜(33),所述第三反射镜(33)的反射光路上设置有分束镜(4),所述分束镜(4)的透射光路上设置有位移反射镜(7),所述干涉仪探测器(5)设置在分束镜(4)的一侧,所述第一反射镜(31)的反射光路上设置有上层光栅(6),所述上层光栅(6)的下方设置有第一下层光栅(81)、第二下层光栅(82),所述第一下层光栅(81)、第二下层光栅(82)并列设置,所述第一下层光栅(81)的下方设置有第一探测器(91),所述第二下层光栅(82)的下方设置有第二探测器(92);所述激光器(1)发出的光经分束光栅(2)衍射出正一级衍射光和负一级衍射光,所述正一级衍射光经第一反射镜(31)反射后垂直入射上层光栅(6),经上层光栅(6)衍射后产生Talbot像,所述Talbot像区域内放置第一下层光栅(81)、第二下层光栅(82),所述第一下层光栅(81)、第二下层光栅(82)透过的光束由第一探测器(91)、第二探测器(92)接收;所述负一级衍射光经第二反射镜(32)反射后垂直入射分束镜(4),经分束镜(4)分出反射光和透射光,所述反射光入射到第三反射镜(33),所述透射光入射到位移反射镜(7)上,所述第三反射镜(33)、位移反射镜(7)的反射光再经分束镜(4)透射和反射后光路重合,产生的干涉光束由干涉仪探测器(5)接收。
2.根据权利要求1所述的一种基于复合式光栅的微位移传感器,其特征在于:所述上层光栅(6)与位移反射镜(7)并列设置在底座(10)上。
3.根据权利要求1所述的一种基于复合式光栅的微位移传感器,其特征在于:所述第一下层光栅(81)、第二下层光栅(82)的基底厚度相差四分之一个Talbot像的长度。
4.根据权利要求1所述的一种基于复合式光栅的微位移传感器,其特征在于:所述分束光栅(2)、上层光栅(6)、第一下层光栅(81)、第二下层光栅(82)的材料均采用Si,所述分束光栅(2)、上层光栅(6)、第一下层光栅(81)、第二下层光栅(82)的光栅占空比为0.5,所述分束光栅(2)、上层光栅(6)、第一下层光栅(81)、第二下层光栅(82)的光栅周期均为800nm。
5.根据权利要求1所述的一种基于复合式光栅的微位移传感器,其特征在于:所述分束光栅(2)的光栅厚度为200nm,所述上层光栅(6)的光栅厚度为766nm。
6.根据权利要求1所述的一种基于复合式光栅的微位移传感器,其特征在于:所述激光器(1)的波长为0.635μm,所述激光器(1)的功率为1.2mW。
7.根据权利要求1所述的一种基于复合式光栅的微位移传感器,其特征在于:所述干涉仪探测器(5)的测量分辨率为317.5nm。
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