[发明专利]工作波长与入射光角度无关的热电子光探测器及制造方法

权利要求书

1.一种工作波长与入射光角度无关的热电子光探测器，其特征在于：包括基底、第一金属薄膜、电极中间层、第二金属薄膜、微腔中间层和分布式布拉格反射镜，且所述第一金属薄膜、电极中间层、第二金属薄膜、微腔中间层和分布式布拉格反射镜依次叠加设置所述基底上，所述第一金属薄膜、电极中间层、第二金属薄膜、微腔中间层以及分布式布拉格反射镜组成光学微腔。

2.根据权利要求1所述的工作波长与入射光角度无关的热电子光探测器，其特征在于：所述基底是玻璃片、塑料、陶瓷、金属、木材中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的工作波长与入射光角度无关的热电子光探测器，其特征在于：所述第一金属薄膜和所述第二金属薄膜的材料相同。

4.根据权利要求3所述的工作波长与入射光角度无关的热电子光探测器，其特征在于：所述第一金属薄膜是金薄膜、银薄膜、铜薄膜、铝薄膜中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的工作波长与入射光角度无关的热电子光探测器，其特征在于：所述电极中间层采用氧化锌薄膜、氧化铝薄膜、二氧化钛薄膜中的任意一种。

6.根据权利要求1所述的工作波长与入射光角度无关的热电子光探测器，其特征在于：所述微腔中间层采用锗薄膜、碲薄膜、硅薄膜中的任意一种。

7.根据权利要求1所述的工作波长与入射光角度无关的热电子光探测器，其特征在于：所述分布式布拉格反射镜由周期性交替排列的两层氧化物薄膜构成。

8.根据权利要求7所述的工作波长与入射光角度无关的热电子光探测器，其特征在于：所述两层氧化物薄膜是由二氧化钛薄膜、氧化锌薄膜、二氧化硅薄膜、氧化铝薄膜中的任意二种构成。

9.一种工作波长与入射光角度无关的热电子光探测器的制造方法，用于制造权利要求1-8中任意一项所述的热电子光探测器，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1：在基底上用电子束蒸镀法镀上第一金属薄膜；

步骤S2：在所述第一金属薄膜上用原子层沉积法沉积电极中间层；

步骤S3：在所述电极中间层用电子束蒸镀法镀上第二金属薄膜；

步骤S4：在所述第二金属薄膜上用电子束蒸镀法沉积微腔中间层；

步骤S5：在所述微腔中间层上用磁控溅射法生长多个周期性交替排列的氧化物薄膜形成分布式布拉格反射镜。

10.根据权利要求9所述的工作波长与入射光角度无关的热电子光探测器的制造方法，其特征在于：在所述步骤S1之前，还包括对所述基底进行清洗的步骤。