[发明专利]一种用于制备掺杂YAG单晶光纤的方法

权利要求书

1.一种用于制备掺杂YAG单晶光纤的方法，其特征在于，所述方法包括：

制备掺杂YAG晶锭；

对所述掺杂YAG晶锭进行切割、研磨、抛光中的至少一种处理，得到掺杂YAG晶棒；

将所述掺杂YAG晶棒至少部分浸入酸溶液中，在预设条件下反应预设时间，得到掺杂YAG单晶光纤纤芯，其中，

所述预设条件包括预设温度和第一预设磁力搅拌速率，其中，

所述预设温度为200-300℃，

所述第一预设磁力搅拌速率为200rpm-300rpm；

在第二预设磁力搅拌速率下通过搅拌抛光液的方式对所述掺杂YAG单晶光纤纤芯进行柱面抛光，其中，

所述抛光液中包括抛光粉，

所述第二预设磁力搅拌速率为300rpm-500rpm，

所述柱面抛光包括：利用夹具将所述掺杂YAG单晶光纤纤芯浸没于盛有所述抛光液的容器中，将所述容器置于磁力搅拌器上，使所述磁力搅拌器的搅拌磁子在所述容器内旋转并带动所述抛光液旋转，以对所述掺杂YAG单晶光纤纤芯进行所述柱面抛光；

将所述掺杂YAG单晶光纤纤芯置于生长腔体的生长区，将原料置于所述生长腔体的溶解区；

向所述生长腔体中加入矿化剂，使所述矿化剂浸没所述原料和所述掺杂YAG单晶光纤纤芯；

通过两段加热装置分别加热所述生长区和所述溶解区，所述溶解区的温度高于所述生长区的温度；以及

在预设压力下，基于所述掺杂YAG单晶光纤纤芯和所述原料，在所述掺杂YAG单晶光纤纤芯表面生长YAG单晶光纤包层，得到掺杂YAG单晶光纤。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述酸溶液包括浓磷酸、浓硫酸、浓盐酸中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

采用清洗液对所述掺杂YAG单晶光纤纤芯进行冲洗处理。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述抛光液中所述抛光粉的质量分数为5%-10%。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述抛光粉包括氧化硅或刚玉中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述矿化剂包括K₂CO₃溶液、Na₂CO₃溶液、KF溶液、NH₄F溶液、KOH溶液或NaOH溶液。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在通过两段加热装置分别加热所述生长区和所述溶解区之前，所述方法还包括：

对所述生长腔体密封处理；

将密封处理后的生长腔体置于安全装置中；以及

对所述密封处理后的生长腔体和所述安全装置进行整体密封处理后置于所述两段加热装置中。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述溶解区的温度为635℃-650℃，以及

所述生长区的温度为610℃-630℃。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设压力为120MPa-160MPa。