[发明专利]有机发光二极管及其制备方法、有机发光二极管显示装置

权利要求书

1.一种有机发光二极管，包括：

阳极；

空穴注入层，包括空穴注入材料；

空穴传输层；

电子阻挡层；

有机发光层，包括主体材料和掺杂材料；

空穴阻挡层；

电子传输层；以及

阴极，

其中，在所述电子阻挡层和所述有机发光层之间设置有第一复合层，以及所述第一复合层包括所述电子阻挡层的材料和所述有机发光层的主体材料，

其中，在所述空穴传输层和所述电子阻挡层之间设置有第二复合层，以及所述第二复合层包括所述电子阻挡层的材料和所述空穴注入材料；以及

所述第二复合层中的空穴注入材料含量比所述空穴注入层中的空穴注入材料含量高。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中，

所述电子阻挡层的材料包括螺芴类材料或芳胺类材料,以及

所述有机发光层的主体材料包括萘类化合物。

3.根据权利要求2所述的有机发光二极管,其中,所述电子阻挡层的材料与所述有机发光层的主体材料的质量比范围为2:8至8:2。

4.根据权利要求3所述的有机发光二极管，其中，所述第一复合层的厚度范围为1nm至3nm之间。

5.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中，所述电子阻挡层的材料包括螺芴类材料或芳胺类材料，以及所述空穴注入材料包括2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰二甲基对苯醌、酞菁铜、聚苯胺或4,4',4'-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺。

6.根据权利要求5所述的有机发光二极管，其中，所述空穴注入材料在所述第二复合层中的质量百分比范围在4%至10%之间。

7.根据权利要求6所述的有机发光二极管，其中，所述第二复合层的厚度在1nm至3nm之间。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的有机发光二极管，其中，

所述电子传输层包括喹喔啉或咪唑类化合物的第一材料和包括八羟基喹啉铝的第二材料；

所述电子传输层的厚度范围为20nm至40nm；以及

第一材料和第二材料的质量比范围4:6至6:4。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的有机发光二极管，其中，所述掺杂材料为芴类化合物；以及所述掺杂材料占所述有机发光层质量百分比范围为1%至5%。

10.根据权利要求1至7中任一项所述的有机发光二极管，其中，所述空穴传输层包括芳香族三胺类化合物；以及

所述空穴传输层的厚度范围为80nm至130nm。

11.一种制造有机发光二极管的方法，包括：

形成阳极；

形成空穴注入层，使其包括空穴注入材料；

形成空穴传输层；

形成电子阻挡层；

形成第一复合层；

形成有机发光层，使其包括主体材料和掺杂材料；

形成空穴阻挡层；

形成电子传输层；以及

形成阴极，

其中，所述第一复合层包括所述电子阻挡层的材料和所述有机发光层的主体材料；以及

其中，在形成空穴传输层之后以及在形成电子阻挡层之前，所述方法还包括在所述空穴传输层上形成第二复合层，使得所述第二复合层包括所述电子阻挡层的材料和所述空穴注入材料以及所述第二复合层中的空穴注入材料含量比所述空穴注入层中的空穴注入材料含量高。

12.根据权利要求11的方法，其中，形成第一复合层包括在所述电子阻挡层上同时蒸镀所述电子阻挡层的材料和所述有机发光层的主体材料。