[发明专利]用于处理基板的装置和用于处理装置的方法在审
申请号: | 202010524631.9 | 申请日: | 2020-06-10 |
公开(公告)号: | CN112071773A | 公开(公告)日: | 2020-12-11 |
发明(设计)人: | 李太燮;金奎铉;李成龙;徐同赫;朴绪正 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;G03F7/40 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 车今智 |
地址: | 韩国忠清南道天安*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 处理 装置 方法 | ||
1.一种用于处理基板的装置,所述装置包括:
壳体,所述壳体具有在所述壳体内部的处理空间;
板,所述板支承所述壳体内部的所述基板;
加热构件,所述加热构件设置在所述板的内部以加热所述基板,并且包括多个加热区;
温度测量构件,所述温度测量构件测量所述基板相对于所述加热构件的所述多个加热区的各加热区的温度;和
控制单元,所述控制单元控制所述加热构件在所述温度测量构件中测量的温度变化图的动态区段中的温度。
2.根据权利要求1所述的装置,其中,所述动态区段为当从所述基板放置在被加热至特定温度的所述板上开始、直到所述板的温度达到常温的温度区段。
3.根据权利要求2所述的装置,其中,所述控制单元形成所述基板上的薄膜的厚度的轮廓,所述轮廓对应于所述温度测量构件对于所述多个加热区的各加热区的温度测量结果。
4.根据权利要求3所述的装置,其中,所述控制单元相对于所述加热构件的所述多个加热区的各加热区执行温度控制,以使得所述基板上的所述薄膜的厚度均匀。
5.根据权利要求4所述的装置,其中,所述控制单元:
基于所述多个加热区的薄膜厚度的轮廓,选择显示特定值的加热区、或显示与参考值的误差较大的加热区;和
使用选择的加热区中的温度图,以及与对应于选择的加热区的、薄膜的厚度值相对应的薄膜厚度值,来执行温度控制。
6.根据权利要求5所述的装置,其中,所述控制单元使用所述板的卡路里损失、以及选择的加热区的当前薄膜厚度和期望薄膜厚度,来控制选择的加热区的温度,所述板的卡路里损失被显示在选择的加热区的温度图中。
7.根据权利要求6所述的装置,其中,通过调节连接至所述加热构件的比例-积分-微分(PID)控制器的增益,控制所述控制单元中的所述加热构件的温度。
8.一种用于通过控制加热构件来处理基板的方法,所述加热构件设置在支承壳体内部的所述基板的板的下部处,并且所述加热构件包括多个加热区,所述方法包括:
测量所述基板相对于所述加热构件的所述多个加热区的各加热区的温度;以及
针对作为所述测量的结果显示的温度变化图的动态区段,执行温度控制。
9.根据权利要求8所述的方法,所述方法还包括:
形成所述基板上的薄膜的厚度的轮廓,所述轮廓对应于针对所述加热构件的所述多个加热区的各加热区的温度测量结果。
10.根据权利要求9所述的方法,所述方法还包括:
相对于所述加热构件的所述多个加热区的各加热区执行温度控制,以使得所述薄膜的厚度均匀。
11.根据权利要求10所述的方法,所述方法还包括:
基于针对所述多个加热区在所述基板上的所述薄膜的厚度的轮廓,选择显示特定值的加热区、或显示与参考值的误差较大的加热区;以及
通过使用选择的加热区中的温度图,以及与对应于选择的加热区的、薄膜的厚度值相对应的薄膜厚度值,来执行针对选择的加热区的温度控制。
12.根据权利要求11所述的方法,所述方法还包括:
使用所述板的卡路里损失、以及选择的加热区的当前薄膜厚度和期望薄膜厚度,来控制选择的加热区的温度,所述板的卡路里损失被显示在选择的加热区的温度图中。
13.根据权利要求12所述的方法,所述方法还包括:
通过调节连接至所述加热构件的PID控制器的增益来控制所述加热构件的温度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造