[发明专利]涂胶方法

说明书

本发明提供了一种涂胶方法，包括偏心喷涂处理、对心喷涂处理和成膜处理。本发明的所述涂胶方法先通过位置控制部使喷涂部的底部中心正对待处理基板表面的第一位置，且所述第一位置距离所述待处理基板中心的直线距离大于0，然后进行所述偏心喷涂处理；所述偏心喷涂处理完成后，再将所述喷涂部的底部中心正对所述待处理基板表面的中心，以进行所述对心喷涂处理，有利于图形转移介质在所述待处理基板表面形成环状和中心点状分布，以进一步通过所述成膜处理在所述待处理基板表面形成良好的均匀性且无色差的光阻。

技术领域

本发明涉及半导体设备技术领域，尤其涉及涂胶方法。

背景技术

晶圆涂布光阻设备是半导体制造领域中光刻工艺的核心设备之一，其中的涂胶单元是最重要的功能单元。晶圆经过涂胶单元后，在晶圆表面会涂覆有目标厚度的光阻，光阻涂覆的均匀与否直接影响后续曝光时线宽的稳定性。随着半导体器件线宽尺寸的不断缩小，对光阻涂布的均匀性要求就越来越严格，因此提升涂胶单元的工艺效果就尤为重要。

公开号为CN110879509A的专利申请公开了一种涂胶方法，该方法将具有多个喷洒孔的喷淋头设置于晶圆的上方，然后通过控制晶圆的旋转速率和旋转时间使得晶圆表面的光阻具有良好的均匀性。然而，该方法仅适用于涂覆动力粘度低的光刻胶，动力粘度高的光刻胶则容易堵塞喷淋孔，无法保证涂覆的均匀性，甚至会妨碍涂覆的正常进行。

因此，有必要开发新型的涂胶方法以解决现有技术中存在的上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种涂胶方法，以通过涂胶装置在待处理基板的表面均匀且无色差涂覆动力粘度不低于4000厘泊的图形转移介质。

为实现上述目的，本发明的所述涂胶装置包括载片部、喷涂部、位置控制部和旋转驱动部，所述涂胶方法包括：

S1：将所述待处理基板装载于所述载片部后，通过所述位置控制部使所述喷涂部的底部中心正对所述待处理基板表面的第一位置，所述第一位置距离所述待处理基板中心的直线距离大于0；

S2：通过所述喷涂部对所述待处理基板进行喷涂的同时，通过所述旋转驱动部带动所述待处理基板旋转，以进行偏心喷涂处理；

S3：所述偏心喷涂处理完毕后，通过所述位置控制部使所述喷涂部的底部中心正对所述待处理基板表面的中心；

S4：通过所述喷涂部对所述待处理基板进行喷涂的同时，通过所述旋转驱动部带动所述待处理基板旋转，以进行对心喷涂处理；

S5：所述对心喷涂处理完成后，通过所述旋转驱动部带动所述待处理基板旋转，以进行成膜处理。

本发明的所述涂胶方法的有益效果在于：所述步骤S1中，先通过所述位置控制部使所述喷涂部的底部中心正对所述待处理基板表面的第一位置，所述第一位置距离所述待处理基板中心的直线距离大于0，以通过所述步骤S2进行所述偏心喷涂处理，所述偏心喷涂处理完成后，再通过所述步骤S3将所述喷涂部的底部中心正对所述待处理基板表面的中心，以进一步通过所述步骤S4进行所述对心喷涂处理，有利于图形转移介质在所述待处理基板表面形成环状和中心点状分布，以进一步通过所述成膜处理在所述待处理基板表面形成良好的均匀性且无色差的光阻。

优选的，所述待处理基板的表面呈圆形，且直径为200-400毫米。其有益效果在于：有利于形成均匀且无色差的光阻。

进一步优选的，所述步骤S1中，通过所述位置控制部使所述第一位置与所述待处理基板的表面中心的直线距离为所述待处理基板半径的40-60％。其有益效果在于：有利于图形转移介质在所述待处理基板表面形成合理的环状和中心点状分布。

进一步优选的，所述步骤S1还包括，通过所述位置控制部使所述喷涂部底部距离所述待处理基板表面的垂直距离为5-15毫米。