[发明专利]数据访问方法、控制器、存储器和存储介质在审
申请号: | 202010525472.4 | 申请日: | 2020-06-10 |
公开(公告)号: | CN113782079A | 公开(公告)日: | 2021-12-10 |
发明(设计)人: | 吴边 | 申请(专利权)人: | 深圳市中兴微电子技术有限公司 |
主分类号: | G11C11/408 | 分类号: | G11C11/408;G11C11/4096 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 潘登 |
地址: | 518055 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 数据 访问 方法 控制器 存储器 存储 介质 | ||
本申请提供数据访问方法、控制器、存储器和存储介质,包括:接收应用端发送的访问请求,其中,所述访问请求中携带访问地址;若所述访问地址中包含的任一地址是错误节点地址,基于错误节点地址与映射节点地址的映射关系确定映射节点地址;基于所述访问请求和所述映射节点地址对数据进行读写访问。
技术领域
本申请涉及存储技术领域,具体涉及一种数据访问方法、控制器、存储器和存储介质。
背景技术
图1是一种动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)控制器的结构示意图,如图1所示,DRAM控制器包括两部分接口:应用端接口和DRAM芯片接口,应用端通过应用端接口连接DRAM控制器,DRAM控制器通过DRAM芯片接口将DRAM作为地址连续的存储空间进行使用,DRAM芯片满足DRAM所需访问时序进行访问。
在实际应用中,由于DRAM本身的原因,DRAM中可能有部分存储被损坏而无法使用,如果不加识别的访问到这些损坏区域,那么就会造成访问数据出错,从而影响应用端。
一般应用中,芯片上电后,控制器会对DRAM芯片做读写测试,如果读写中部分地址出现测试失败情况,并且原因为DRAM芯片中部分存储区域被损坏的话,此时如果控制器和DRAM芯片是相互独立的,那么需要替换DRAM芯片,如果控制器和DRAM芯片合封在一起,比如HBM芯片,那么就需要替换整个合封芯片。
发明内容
本申请提供的数据访问方法、控制器、存储器和存储介质,以提高动态存储器利用率的效果,节省了产品成本。
第一方面,本申请实施例提供一种数据访问方法,包括:
接收应用端发送的访问请求,其中,所述访问请求中携带访问地址;
若所述访问地址中包含的任一地址是错误节点地址,基于错误节点地址与映射节点地址的映射关系确定映射节点地址;
基于所述访问请求和所述映射节点地址对数据进行读写访问。
第二方面,本申请实施例提供一种控制器,包括:记录访问单元,其中,
所述记录访问单元,被配置为接收应用端发送的访问请求,其中,所述访问请求中携带访问地址;若所述访问地址中包含的任一地址是错误节点地址,基于错误节点地址与映射节点地址的映射关系确定映射节点地址;基于所述访问请求和所述映射节点地址对数据进行读写访问。
第三方面,本申请实施例提供一种存储器,包括如本申请实施例提供的任一项所述的控制器。
第四方面,本申请实施例提供一种存储介质,所述存储介质存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现他、如本申请实施例提供的任一项所述的方法。
本申请实施例提供的数据访问方法、控制器、存储器和存储介质,若所述访问地址中包含的任一地址是错误节点地址,基于错误节点地址与映射节点地址的映射关系确定映射节点地址;基于所述访问请求和所述映射节点地址对数据进行读写访问。解决了DRAM芯片中部分存储区域被损坏,便需要更换DRAM芯片的问题,达到了提高DRAM芯片利用率的效果,节省了产品成本,提高了产品可用度。
关于本申请的以上实施例和其他方面以及其实现方式,在附图说明、具体实施方式和权利要求中提供更多说明。
附图说明
图1是一种DRAM控制器的结构示意图;
图2是本申请实施例提供的一种数据访问方法的流程图;
图3是本申请实施例提供的一种映射关系的记录方式的示意图;
图4是本申请实施例提供的一种测试并记录映射关系的示意图;
图5是本申请实施例提供的一种控制器的结构示意图;
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