[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底，包括分立的器件区和位于器件区之间的隔离区；

栅极结构，位于所述器件区的基底上；

源区，位于所述栅极结构一侧的器件区的基底中；

漏区，位于所述栅极结构另一侧的器件区的基底中；

底部介质层，位于所述栅极结构侧部的基底上且覆盖源区和漏区；

顶部介质层，位于所述底部介质层上且覆盖所述栅极结构；

散热结构，位于所述隔离区的顶部介质层中；所述散热结构位于所述源区背向栅极结构的一侧，或者，位于所述漏区背向栅极结构的一侧，或者，位于所述源区背向栅极结构的一侧和漏区背向栅极结构的一侧；所述散热结构包括一层或多层相连的导热层。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述基底包括衬底和多个分立于所述器件区衬底上的鳍部；

所述栅极结构横跨多个所述鳍部，且覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁；所述源区位于所述栅极结构一侧的鳍部中，所述漏区位于所述栅极结构另一侧的鳍部中。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述顶部介质层包括一层第一介质层；所述散热结构包括一层的导热层，所述导热层位于所述第一介质层中；

或者，所述顶部介质层包括多层堆叠的第一介质层；所述散热结构包括多层的导热层，所述导热层位于所述第一介质层中；其中，最靠近基底的一个导热层为底部导热层，位于所述底部导热层上方的每一个导热层为顶部导热层；

所述散热结构还包括：第一插塞结构，位于每一个所述顶部导热层下方的第一介质层中且与所述顶部导热层相连；所述第一插塞结构与位于其下方的一个导热层的顶部相接触。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：源区接触层，贯穿所述源区上方的底部介质层且与源区相接触；

漏区接触层，贯穿所述漏区上方的底部介质层且与漏区相接触；

第二介质层，位于所述顶部介质层与底部介质层之间；

源极互连结构，位于所述器件区的第二介质层中且与源区接触层的顶面相接触；

漏极互连结构，位于所述器件区的第二介质层中且与漏区接触层的顶面相接触。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，当散热结构位于源区背向栅极结构的一侧时，所述散热结构与所述源区的距离为2nm至8nm；

当散热结构位于漏区背向栅极结构的一侧时，所述散热结构与漏区之间的距离为2nm至8nm。

6.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述散热结构包括一层的导热层，所述导热层作为底部导热层；或者，所述散热结构包括多层的导热层，最靠近基底的一个导热层作为底部导热层；

当所述散热结构位于源区背向栅极结构的一侧时，所述半导体结构还包括：源极连接层，位于所述源极互连结构背向栅极结构一侧的第二介质层中，所述源极连接层的侧壁与源极互连结构相接触，所述源极连接层还延伸至所述底部导热层下方的第二介质层中；

所述散热结构还包括：第二插塞结构，位于所述源极连接层与所述底部导热层之间的第一介质层中且与所述底部导热层相连，所述第二插塞结构的底部与所述源极连接层的顶面相接触。

7.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述散热结构包括一层的导热层，所述导热层作为底部导热层；或者，所述散热结构包括多层的导热层，最靠近基底的一个导热层作为底部导热层；

当所述散热结构位于漏区背向栅极的一侧时，所述半导体结构还包括：漏极连接层，位于所述漏极互连结构背向栅极结构一侧的第二介质层中，所述漏极连接层的侧壁与漏极互连结构相接触，所述漏极连接层还延伸至所述底部导热层下方的第二介质层中；

所述散热结构还包括：第三插塞结构，位于所述漏极连接层与所述底部导热层之间的第一介质层中且与所述底部导热层相连，所述第三插塞结构的底部与所述漏极连接层的顶面相接触。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述导热层的材料的热导率至少为150W/mK。