[发明专利]异质结太阳能电池片、叠瓦组件及制造方法

权利要求书

1.一种异质结太阳能电池片，异质结太阳能电池片包括基体片、设置在基体片的顶表面和底表面上的电极，其特征在于，基体片包括：

单晶硅衬底层；

两组本征非晶硅薄膜层，两组本征非晶硅薄膜层包括设置在单晶硅衬底层的顶侧的第一组本征非晶硅薄膜层和设置在单晶硅衬底层的底侧的第二组本征非晶硅薄膜层，第一组本征非晶硅薄膜层和第二组本征非晶硅薄膜层均各自包括从所述单晶硅衬底层指向电极的方向依次排布的以下四层结构：

第一层本征非晶硅薄膜层，第一层本征非晶硅薄膜层为碳同族掺杂硅的整体层状结构；

第二层本征非晶硅薄膜层，第二层本征非晶硅薄膜层为由硅源气氛沉积而成的整体层状结构；

第三层本征非晶硅薄膜层，第三层本征非晶硅薄膜层为由含氢气氛和含氘气氛中的至少一者和硅源气氛的混合气体沉积而成的整体层状结构；

第四层本征非晶硅薄膜层，第四层本征非晶硅薄膜层为由含氢气氛和含氘气氛中的至少一者和硅源气氛、碳源气氛的混合气体沉积而成的整体层状结构；

N型掺杂层，N型掺杂层位于所述第一组本征非晶硅薄膜层的顶侧；

P型掺杂层，所述P型掺杂层位于所述第二组本征非晶硅薄膜层的底侧；

透光导电层，所述透光导电层分别设置在所述N型掺杂层的顶侧和所述P型掺杂层的底侧，并且所述电极设置在所述透光导电层的表面上。

2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池片，其特征在于，第一层本征非晶硅薄膜层为由硅烷掺杂烷烃、烯烃、炔烃中的至少一者的混合气体沉积而成的整体层状结构。

3.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池片，其特征在于，第三层本征非晶硅薄膜层为由氢气和硅烷气体的量的比值为3-15的范围内的混合气体沉积而成的整体层状结构。

4.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池片，其特征在于，第四层本征非晶硅薄膜层为由烷烃和氢气的量的比值在1/20-3/5的范围内的混合气体沉积而成的整体层状结构。

5.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池片，其特征在于，N型掺杂层和P型掺杂层均各自包括与第四层本征非晶硅薄膜层接触的第一层掺杂层和与透光导电层接触的第二层掺杂层，第一层掺杂层为非晶硅整体层状结构，第二层掺杂层为微晶硅整体层状结构，第二层掺杂层的掺杂浓度大于第一层掺杂层的掺杂浓度。

6.根据权利要求5所述的异质结太阳能电池片，其特征在于，

N型掺杂层的第一层掺杂层为由含氢气氛和含氘气氛中的至少一者和硅烷、磷烷混合的混合气体沉积而成的整体层状结构；

N型掺杂层的第二层掺杂层为由含氢气氛和含氘气氛中的至少一者和硅烷、磷烷、二氧化碳混合的混合气体沉积而成的整体层状结构。

7.根据权利要求5所述的异质结太阳能电池片，其特征在于，

P型掺杂层的第一层掺杂层为由含氢气氛和含氘气氛中的至少一者和硅烷、三甲基硼混合的混合气体沉积而成的整体层状结构；

P型掺杂层的第二层掺杂层为由含氢气氛和含氘气氛中的至少一者和硅烷、硼烷、二氧化碳混合的混合气体沉积而成的整体层状结构。

8.根据权利要求5或6所述的异质结太阳能电池片，其特征在于，N型掺杂层的第一层掺杂层的磷的掺杂量为14ppm-17ppm。

9.根据权利要求5或6所述的异质结太阳能电池片，其特征在于，N型掺杂层的第二层掺杂层的结晶度为40％-65％，N型掺杂层的第二层掺杂层的磷的掺杂量为18ppm-22ppm。

10.根据权利要求5或7所述的异质结太阳能电池片，其特征在于，P型掺杂层的第一层掺杂层的硼的掺杂量为14ppm-17ppm。

11.根据权利要求5或7所述的异质结太阳能电池片，其特征在于，P型掺杂层的第二层掺杂层的结晶度为40％-65％，P型掺杂层的第二层掺杂层的硼的掺杂量为18ppm-22ppm。