[发明专利]一种薄膜体声波谐振器及其制作工艺

权利要求书

1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括设置在声波反射结构所在衬底的上部的底电极层、压电层和顶电极层，其中所述压电层的与所述声波反射结构的边界对应的部位经过退极化处理以形成退极化部从而消除所述部位的压电性，所述退极化部在所述衬底上的投影区域至少从所述声波反射结构之外的区域跨越到所述声波反射结构之内。

2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述退极化部被部分退极化。

3.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述退极化部被全部退极化。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述退极化部是通过将所述压电层进行选择性退极化处理后形成的。

5.根据权利要求4所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述退极化处理包括对压电层中的压电材料进行离子注入以及退火。

6.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述谐振器包括设置在同一衬底上的多个谐振器，其中在所述多个谐振器之间的区域所具有的压电层被退极化处理。

7.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述声波反射结构为空腔。

8.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述声波反射结构为布拉格反射结构。

9.一种薄膜体声波谐振器的制作工艺，其特征在于，包括以下步骤：

S1、在形成或将要形成声波反射结构的衬底上制作底电极层以覆盖所述声波反射结构；

S2、在所述底电极层上制作压电层；

S3、对所述压电层的与所述声波反射结构的边界对应的部位进行退极化处理以形成退极化部从而消除所述部位的压电性，所述退极化部在所述衬底上的投影区域至少从所述声波反射结构之外的区域跨越到所述声波反射结构之内；以及

S4、在所述压电层上制作顶电极层。

10.根据权利要求9所述的制作工艺，其特征在于，所述步骤S3具体包括：

S31、在所述压电层上沉积硬掩膜或涂覆光刻胶，

S32、将所述硬掩膜 或所述光刻胶图形化以使得所述压电层的至少与所述声波反射结构的边界对应的部位暴露出，

S33、对所述压电层的暴露部位进行离子注入，

S34、去除所述硬掩膜或光刻胶。

11.根据权利要求10所述的制作工艺，其特征在于，所述S33步骤还包括在离子注入后，对所述压电层施加退火工艺。

12.根据权利要求10所述的制作工艺，其特征在于，所述S33步骤具体包括控制离子注入过程中的掺杂离子的种类和/或浓度以使得被离子注入后的压电层材料的居里点低于所述离子注入后的所述谐振器的制作工艺的最高工艺温度。

13.根据权利要求9-12中任一项所述的制作工艺，其特征在于，所述声波反射结构为空腔或者布拉格反射结构。

14.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，通过权利要求9-13中任一项所述的制作工艺制成。