[发明专利]炉管的进气装置及其炉管结构

权利要求书

1.一种炉管的进气装置，包括：

进气口，设置于炉管工艺腔的一侧壁下端，与外部反应气体管路连通；

进气管，设置于所述炉管工艺腔内的一侧，所述进气管的一端连接进气口，所述进气管为具有弧度的非直管；

喷嘴，位于所述进气管的另一端，沿所述进气管长度方向并面向晶舟均匀设置，且所述喷嘴至所述晶舟的距离随所述喷嘴至所述进气口之间的进气管的长度的增加而减小；

其中，所述反应气体由所述进气口进入进气管，并由所述喷嘴向所述晶舟中的硅片喷射，使晶舟中的硅片均匀接触到反应气体，所述硅片接触到的反应气体的温度与所述硅片的温度之间的温度差小。

2.根据权利要求1所述的进气装置，其中，所述反应气体的温度与所述硅片的温度之间的温度差为±5℃。

3.根据权利要求1所述的进气装置，其中，所述进气管的形状包括：U形管，环形管或S形管中的任意一种。

4.根据权利要求1所述的进气装置，其中，所述进气口为一个或多个，所述进气管为一个，所述进气管与所述一个或多个进气口连接。

5.根据权利要求1所述的进气装置，其中，所述进气口为一个或多个，所述进气管为多个，多个所述进气管与所述一个进气口均连接，或与所述多个进气口一一对应连接。

6.根据权利要求1所述的进气装置，其中，所述喷嘴包括多个，分别与多个所述进气管连接，多个所述进气管的每一个上包括至少一个所述喷嘴，多个所述进气管的连接所述喷嘴的部分为垂直或倾斜状态，所述多个喷嘴的垂直高度沿垂直方向分布。

7.一种炉管结构，包括：

工艺腔，包括底座和位于所述底座上的晶舟，所述晶舟用于承载硅片；

如权利要求1-6中任一项所述的进气装置，位于所述工艺腔的一侧壁；

抽气装置，位于所述工艺腔的另一侧，用于排出反应后的气体，

控制单元，与所述进气装置连接，用于控制所述进气装置中反应气体的流量。