[发明专利]具有阻变存储层的非易失性存储器件

权利要求书

1.一种非易失性存储器件，包括：

衬底；

源电极结构，其设置在所述衬底上，所述源电极结构包括在垂直于所述衬底的第一方向上交替层叠的多个源电极层图案和多个源极绝缘层图案，其中所述源电极结构在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸，

沟道结构，其设置在所述衬底上并被设置为与所述源电极结构的侧壁表面接触，所述源电极结构的所述侧壁表面是由所述第一方向和所述第二方向形成的平面；

阻变存储层，其设置在所述衬底上的所述沟道结构的侧壁表面上，所述沟道结构的所述侧壁表面是由所述第一方向和所述第二方向形成的平面；

漏电极结构，其被设置为与所述衬底上的所述阻变存储层接触，其包括在所述第一方向上交替设置的多个漏电极层图案和多个漏极绝缘层图案，其中，所述漏电极结构在所述第二方向上延伸；

多个栅极电介质结构，其在所述第一方向上延伸并且被设置为在所述第二方向上彼此间隔开；以及

多个栅电极结构，其被设置为在所述栅极电介质结构中在所述第一方向上延伸。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述多个栅电极结构中的一个栅电极结构通过所述多个栅极电介质结构中的一个栅极电介质结构与所述沟道结构分隔开。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述多个栅极电介质结构被设置为在与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向上与所述源电极结构和所述阻变存储层间隔开。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述多个栅电极结构具有柱状。

5.根据权利要求4所述的非易失性存储器件，其中，所述多个栅极电介质结构被设置为在垂直于所述第一方向的平面上以预定厚度围绕所述多个栅电极结构。

6.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述沟道结构被设置为围绕所述多个栅极电介质结构中的一个栅极电介质结构和所述多个栅电极结构中中的一个栅电极结构。

7.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述多个源电极层图案与所述多个漏电极层图案在相同的平面上彼此对应。

8.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述阻变存储层包括具有氧空位的氧化物。

9.根据权利要求8所述的非易失性存储器件，其中，所述氧化物包括选自氧化硅、氧化铝、氧化钽、氧化钛和氧化铪中的至少一种。

10.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述多个栅极电介质结构和所述多个栅电极结构中的每个都具有朝向所述阻变存储层突出的尖端部分。

11.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述沟道结构包括选自掺杂的半导体、金属氧化物和二硫属化物中的至少一种。

12.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，还包括：

单元绝缘结构，其沿所述第一方向设置在所述衬底上，并且在所述第二方向上设置在相邻的栅极电介质结构之间。

13.根据权利要求12所述的非易失性存储器件，其中，所述单元绝缘结构被设置为在与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向上与所述源电极结构和所述阻变存储层接触。

14.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，

其中，所述源电极层图案被设置为在与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向上与所述沟道结构接触，

所述漏电极层图案被设置为在所述第三方向上与所述阻变存储层接触，以及

所述源极绝缘层图案和漏极绝缘层图案被设置为在所述第三方向上与所述栅极电介质结构接触。