[发明专利]LDMOS器件的制备方法和LDMOS器件

说明书

本申请公开了一种LDMOS器件的制备方法和LDMOS器件，该方法包括：在衬底中形成阱掺杂区；在衬底上形成栅氧，栅氧的底部与阱掺杂区的上表面具有交叠区域；在栅氧上形成多晶硅栅，多晶硅栅和栅氧形成台阶型结构；进行至少两次漂移区离子注入，在衬底中形成漂移区，漂移区覆盖阱掺杂区和栅氧的底部，至少两次漂移区离子注入中存在至少两次漂移区离子注入的能量不同；进行重掺杂离子注入，在阱掺杂区内分别形成源端和沟道引出端，在漂移区内形成漏端。本申请通过在形成栅氧和多晶硅栅后，进行至少漂移区离子注入，从而使漂移区的掺杂浓度在横向方向上的分布不均匀，降低了器件的击穿几率。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种横向扩散金属氧化物半导体(laterally-diffused metal-oxide semiconductor，LDMOS)器件的制备方法和LDMOS器件。

背景技术

LDMOS器件，尤其是开关型LDMOS器件，为了降低开关功耗，通常在保持足够高的击穿电压时，需要获得足够低的导通电阻。

针对此，相关技术中提供的LDMOS器件，通常具有较小的器件尺寸(例如，较短的沟道长度和/或较短的漂移区长度)，或在较小的器件尺寸的基础上具有较高的漂移区掺杂浓度，通过提高漂移区掺杂浓度以降低漂移区电阻，通过缩小器件尺寸以降低器件的导通电阻。

然而，相关技术中提供的LDMOS器件的击穿几率较高，从而导致器件的稳定性较差。

发明内容

本申请提供了一种LDMOS器件的制备方法和LDMOS器件，可以解决相关技术中提供的LDMOS器件的稳定性较差的问题。

一方面，本申请实施例提供了一种LDMOS器件的制备方法，包括：

在衬底中形成阱掺杂区；

在所述衬底上形成栅氧，所述栅氧的底部与所述阱掺杂区的上表面具有交叠区域；

在所述栅氧上形成多晶硅栅，所述多晶硅栅和所述栅氧形成台阶型结构，所述栅氧构成所述台阶型结构的底部台阶；

进行至少两次漂移区离子注入，在所述衬底中形成漂移区，所述漂移区覆盖所述阱掺杂区和所述栅氧的底部，所述至少两次漂移区离子注入中存在至少两次漂移区离子注入的能量不同；

进行重掺杂离子注入，在所述阱掺杂区内分别形成源端和沟道引出端，在所述漂移区内形成漏端。

可选的，所述至少两次漂移区离子注入包括依次进行的第一离子注入和第二离子注入，所述第二离子注入的能量小于所述第一离子注入的能量。

可选的，所述第一离子注入的能量为150千电子伏特(KeV)至350千电子伏特。

可选的，所述第一离子注入的离子包括第一类杂质，在所述第一离子注入中，第一类杂质的注入剂量为1.5×10¹²每平方厘米(cm^-2)至3.5×10¹²每平方厘米。

可选的，所述第二离子注入的能量为50千电子伏特至120千电子伏特。

可选的，所述第二离子注入的离子包括第一类杂质，在所述第二离子注入中，第一类杂质的注入剂量为2×10¹²每平方厘米至4.5×10¹²每平方厘米。

可选的，所述至少两次漂移区离子注入包括依次进行的第一类型的离子注入和第二类型的离子注入，所述第一类型的离子注入的能量大于所述第二类型的离子注入的能量；

所述第一离子注入和所述第二离子注入属于第一类型的离子注入。

可选的，所述第一类型的离子注入包括依次进行的第三离子注入和第四离子注入，所述第三离子注入的离子包括第二类杂质，所述第四离子注入的离子包括第一类杂质。