[发明专利]闪存器件的制造方法

说明书

本申请公开了一种闪存器件的制造方法，涉及半导体制造领域。该方法包括在半导体衬底上的存储区域形成闪存器件的栅极结构；在所述闪存器件的栅极结构中的字线顶部形成氧化层；在所述存储区域进行源漏自对准刻蚀工艺；涂布BARC，所述字线顶部的凹洞被所述BARC填充；刻蚀所述半导体衬底，直到所述字线顶部平整；去除残余的BARC；形成所述闪存器件的源区和漏区；解决了目前闪存器件制造过程中的字线顶部的凹洞影响后续金属硅化物形成的问题；达到了在不调整其他工艺过程的情况下调平闪存器件的字线顶部，优化闪存器件的制造过程的效果。

技术领域

本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种闪存器件的制造方法。

背景技术

闪存器件作为一种非易失性半导体存储器件，由于具有高速、高密度、断电后仍能保持数据的特点，被广泛应用于手机、笔记本电脑、U盘等各类电子产品中。

在闪存器件的制造过程中，可以采用自对准刻蚀工艺栅极结构两侧的介质层，露出有源区，然后再形成闪存器件的源区和漏区。在对字线多晶硅进行CMP(ChemicalMechanical Planarization，化学机械平坦化)处理后，通过炉管热氧化在字线顶部形成氧化层，该氧化层作为硬掩膜。在热氧化形成字线顶部的氧化层时，热过程使得字线多晶硅重新结晶出现隆起现象，隆起的多晶硅令上方的氧化层厚度显著偏薄。在后续进行自对准刻蚀工艺时，由于字线顶部的氧化层厚度不均匀，偏薄的氧化层无法在刻蚀过程中保护下方的多晶硅字线，致使多晶硅字线11顶部的局部位置出现凹洞12，如图1所示。

发明内容

为了解决相关技术的问题，本申请提供了一种闪存器件的制造方法。该技术方案如下：

一方面，本申请实施例提供了一种闪存器件的制造方法，该方法包括：

在半导体衬底上的存储区域形成闪存器件的栅极结构；

在闪存器件的栅极结构中的字线顶部形成氧化层；

在存储区域进行源漏自对准刻蚀工艺；

涂布BARC，字线顶部的凹洞被BARC填充；

刻蚀半导体衬底，直到字线顶部平整；

去除残余的BARC；

形成闪存器件的源区和漏区。

可选的，字线的材料为多晶硅。

可选的，闪存器件的栅极结构至少包括浮栅、控制栅、字线、位于浮栅和控制栅之间的栅间介质层。

可选的，形成闪存器件的源区和漏区，包括：

通过自对准工艺进行轻掺杂漏注入；

在闪存器件的栅极结构的外侧形成侧墙；

通过离子注入工艺形成闪存器件的源区和漏区。

可选的，在闪存器件的栅极结构中的字线顶部形成氧化层，包括：

通过热氧化在闪存器件的栅极结构中的字线顶部形成氧化层。

可选的，去除残余的BARC，包括：

通过灰化工艺去除残余的BARC。

可选的，在存储区域进行源漏自对准刻蚀工艺，包括：

以氧化层为掩膜，通过刻蚀工艺去除存储区域中未被氧化层覆盖的控制栅层、栅间介质层、浮栅层，露出存储区域的有源区。

可选的，刻蚀半导体衬底，直到字线的顶部平整，包括：

通过刻蚀工艺去除字线顶部的凹洞，令字线的顶部平整。

本申请技术方案，至少包括如下优点：