[发明专利]非易失性存储器设备及其编程方法

说明书

本文提供了非易失性存储器设备及其编程方法。所述非易失性存储器设备包括存储单元阵列，该存储单元阵列包括具有第一字线的多条字线和连接到所述第一字线的多个存储单元。所述多个存储单元包括多个监视单元和多个数据单元，每个数据单元被配置为存储N位数据，N为自然数。所述非易失性存储器设备被配置为对所述多个数据单元执行第一编程，并且在执行所述第一编程之后，对所述一个或多个监视单元执行与所述第一编程不同的检测编程。

本申请要求于2019年6月13日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0070018的优先权，并且要求从其获得的所有权益，该专利申请的内容通过引用整体并入本文。

技术领域

本公开涉及非易失性存储器设备及其编程方法。

背景技术

非易失性存储器设备是即使电源中断也不会擦除其中存储的数据的存储器设备。非易失性存储器设备的示例包括可编程只读存储器(PROM)、可擦除可编程PROM(EPROM)、电EPROM(EEPROM)、闪存存储器设备等。在非易失性存储器设备当中，闪存存储器设备可以由各种类型的存储单元构成并且可以根据单元阵列结构大致分为NAND型闪存存储器设备和NOR型闪存存储器设备。

同时，在将数据编程到非易失性存储器设备的存储单元时，在非易失性存储器设备中可能发生突然断电。当在编程操作期间发生断电时，不能确保编程到存储单元的数据的可靠性。因此，正在研究能够确定在将数据编程到存储单元期间是否发生突然断电的各种方法。

发明内容

本公开的各方面提供了一种非易失性存储器设备，该非易失性存储器设备能够检测在将数据编程到存储单元时是否发生突然断电，同时最小化对非易失性存储器设备的性能的影响。

根据本发明构思的一个方面，提供了一种非易失性存储器设备，包括：存储单元阵列，该存储单元阵列包括具有第一字线的多条字线和连接到第一字线的多个存储单元，其中所述多个存储单元包括一个或多个监视单元和多个数据单元，每个数据单元被配置为存储N位数据，N为自然数。非易失性存储器设备被配置为对所述多个数据单元执行第一编程，并且对所述一个或多个监视单元执行与第一编程不同的检测编程。检测编程可以在执行第一编程之后执行。

根据本发明构思的一方面，提供了一种存储设备，包括：非易失性存储器，该非易失性存储器包括具有第一字线的多条字线和连接到第一字线的多个存储单元，其中所述多个存储单元包括多个监视单元和多个数据单元，每个数据单元被配置为存储N位数据，N为自然数；以及控制器，被配置为对所述多个数据单元执行第一编程，并且对所述多个监视单元执行与第一编程不同的检测编程，其中控制器包括突然断电(sudden power off，SPO)检测器，并且SPO检测器被配置为检测在对所述多个数据单元执行第一编程时是否发生SPO。

根据本发明构思的一个方面，提供了一种非易失性存储器设备，包括：存储单元阵列，包括具有第一字线的多条字线以及均连接到第一字线的多个第一存储单元和多个第二存储单元。所述非易失性存储器设备被配置为对所述多个第一存储单元执行第一编程，所述多个第一存储单元中的每个单元被配置为存储N位数据，N为自然数，并且对作为多个监视单元的多个第二存储单元执行与第一编程不同的检测编程。本公开的技术方面不限于上述技术方面，并且本领域技术人员从以下描述中应当清楚地理解以上未提及的本公开的其它技术方面。

附图说明

通过参考附图详细描述本公开的示例性实施例，本公开的上述和其它目的、特征和优点对于本领域普通技术人员将变得更加显而易见。

图1A和1B是用于描述根据本公开一些实施例的包括非易失性存储器设备的数据处理系统的示例性框图。

图2A和2B是用于描述根据本公开一些实施例的非易失性存储器设备的示例性示图。