[发明专利]OLED显示面板及OLED显示装置有效
申请号: | 202010528735.7 | 申请日: | 2020-06-11 |
公开(公告)号: | CN111668270B | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 彭宁昆 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/12;H01L51/52 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 何辉 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种OLED显示面板,其特征在于,包括:
基板,所述基板包括显示区域以及设置在所述显示区域外的非显示区域;
像素驱动电路,所述像素驱动电路设置在所述显示区域上,所述像素驱动电路包括复位信号输入端以及阴极信号输入端;以及
阴极信号走线,所述阴极信号走线设置在所述非显示区域上,且所述阴极信号走线均与所述复位信号输入端以及所述阴极信号输入端电性连接;
所述OLED显示面板包括设置在所述基板上的过线层、源漏金属层以及阴极层,所述过线层、所述源漏金属层以及所述阴极层位于不同层;
所述过线层包括第一连接电极,所述第一连接电极设置在所述显示区域上,并延伸至所述非显示区域;
所述源漏金属层包括所述复位信号输入端、第二连接电极以及阴极信号接入电极;所述复位信号输入端设置在所述显示区域上,所述第二连接电极以及所述阴极信号接入电极均设置在所述非显示区域上;所述复位信号输入端通过所述第一连接电极、所述第二连接电极以及所述阴极信号接入电极与所述阴极信号走线电性连接;
所述阴极层包括所述阴极信号输入端;所述阴极信号输入端设置在所述显示区域上,并延伸至所述非显示区域;所述阴极信号输入端通过所述阴极信号接入电极与所述阴极信号走线电性连接。
2.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述OLED显示面板还包括设置在所述基板上的阳极层,所述阳极层、所述过线层、所述源漏金属层以及所述阴极层位于不同层;
所述阳极层包括设置在所述非显示区域上的第三连接电极,所述复位信号输入端以及所述阴极信号输入端通过所述第一连接电极、所述第二连接电极、所述第三连接电极以及所述阴极信号接入电极与所述阴极信号走线电性连接,所述阴极信号输入端通过所述第三连接电极以及所述阴极信号接入电极与所述阴极信号走线电性连接。
3.根据权利要求2所述的OLED显示面板,其特征在于,所述OLED显示面板设置有第一过孔,所述第一过孔设置在所述非显示区域上,所述第一过孔自所述阴极层贯穿至所述阳极层,所述阴极信号输入端与所述第三连接电极通过所述第一过孔电性连接。
4.根据权利要求2所述的OLED显示面板,其特征在于,所述OLED显示面板设置有第二过孔,所述第二过孔设置在所述非显示区域上,所述第二过孔自所述阳极层贯穿至所述源漏金属层,所述阴极信号接入电极、所述第三连接电极以及所述第二连接电极通过所述第二过孔电性连接。
5.根据权利要求2所述的OLED显示面板,其特征在于,所述OLED显示面板设置有第三过孔,所述第三过孔设置在所述非显示区域上,所述第三过孔自所述源漏金属层贯穿至所述过线层,所述第一连接电极以及所述第二连接电极通过所述第三过孔电性连接。
6.根据权利要求2所述的OLED显示面板,其特征在于,所述OLED显示面板设置有第四过孔,所述第四过孔设置在所述显示区域上,所述第四过孔自所述源漏金属层贯穿至所述过线层,所述复位信号输入端、所述阴极信号输入端以及所述第一连接电极通过所述第四过孔电性连接。
7.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述OLED显示面板设置有第五过孔,所述第五过孔设置在所述非显示区域上,所述第五过孔自所述阴极层贯穿至所述源漏金属层,所述阴极信号接入电极、所述第二连接电极以及所述阴极信号输入端通过所述第五过孔电性连接。
8.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述像素驱动电路包括第一晶体管、第二晶体管以及发光二极管,所述第一晶体管的源极以及所述第二晶体管的源极均与所述复位信号输入端电性连接,所述发光二极管的阴极与所述阴极信号输入端电性连接。
9.一种OLED显示装置,其特征在于,包括权利要求1-8任一项所述的OLED显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的