[发明专利]发光装置

权利要求书

1.一种发光装置，其特征在于，包括：

多个像素，所述多个像素中的每一个包括至少两个发光二极管，所述至少两个发光二极管以串联方式彼此电连接；

其中所述至少两个发光二极管分别在不同的电流值下具有一外部量子效率的峰值。

2.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述至少两个发光二极管是由不同的磊晶生长制程所形成。

3.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述至少两个发光二极管的每一个分别包括一p型半导体层，且所述至少两个发光二极管的所述p型半导体层的面积不同。

4.如权利要求3所述的发光装置，其特征在于，所述至少两个发光二极管之一个的所述p型半导体层的面积较所述至少两个发光二极管之另一个的所述p型半导体层的面积大，所述至少两个发光二极管之所述一个的所述外部量子效率的峰值所对应的电流值大于所述至少两个发光二极管之所述另一个的所述外部量子效率的峰值所对应的电流值。

5.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述至少两个发光二极管的每一个分别包括一p型半导体层和一透明导电层接触于所述p型半导体层，所述至少两个发光二极管的所述透明导电层的面积不同。

6.如权利要求5所述的发光装置，其特征在于，所述至少两个发光二极管之一个的所述透明导电层的面积较所述至少两个发光二极管之另一个的所述透明导电层的面积大，所述至少两个发光二极管之所述一个的所述外部量子效率的峰值所对应的电流值大于所述至少两个发光二极管之所述另一个的所述外部量子效率的峰值所对应的电流值。

7.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述至少两个发光二极管的每一个分别包括一导电垫、一透明导电层和一保护层设置在所述导电垫与所述透明导电层之间，其中在所述至少两个发光二极管的任一个中，所述保护层具有一孔洞，所述导电垫通过所述孔洞接触于所述透明导电层，所述至少两个发光二极管的所述保护层的所述孔洞的面积不同。

8.如权利要求7所述的发光装置，其特征在于，所述至少两个发光二极管之一个的所述保护层的所述孔洞的面积较所述至少两个发光二极管之另一个的所述保护层的所述孔洞的面积大，所述至少两个发光二极管之所述一个的所述外部量子效率的峰值所对应的电流值大于所述至少两个发光二极管之所述另一个的所述外部量子效率的峰值所对应的电流值。

9.一种发光装置，其特征在于，包括：

多个像素，所述多个像素中的每一个包括至少两个发光二极管，所述至少两个发光二极管以串联方式彼此电连接；

其中当所述发光装置在操作状态下时，在所述多个像素的每一个中，所述至少两个发光二极管具有不同的电流密度。

10.如权利要求9所述的发光装置，其特征在于，还包括一缓冲层，其中所述至少两个发光二极管设置在所述缓冲层的一侧，且所述缓冲层的厚度的范围是从0.5微米到5微米。