[发明专利]一种对砷化镓多晶合成炉温场的测量方法在审
申请号: | 202010529543.8 | 申请日: | 2020-06-11 |
公开(公告)号: | CN111519246A | 公开(公告)日: | 2020-08-11 |
发明(设计)人: | 易德福 | 申请(专利权)人: | 江西德义半导体科技有限公司 |
主分类号: | C30B28/00 | 分类号: | C30B28/00;C30B29/42;G01K13/00;G01K1/14;G01K3/14 |
代理公司: | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人: | 杜丹盛 |
地址: | 344000 江西省抚*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 砷化镓 多晶 合成 炉温 测量方法 | ||
1.一种对砷化镓多晶合成炉温场的测量方法,其特征在于:其在炉体的侧壁上沿着其石英管的排布方向顺次布置若干个测量孔,每个测量孔分别连通所述炉体的内腔,之后将测温传感器的测温端插装于对应的测量孔内置于炉体的对应内腔的位置。
2.如权利要求1所述的一种对砷化镓多晶合成炉温场的测量方法,其特征在于:所有的测量孔排布于所述炉体的同一侧壁上。
3.如权利要求1所述的一种对砷化镓多晶合成炉温场的测量方法,其特征在于:预先对组装的炉体的温区进行测量和计算、确定好对应的温场的测量位置,之后在确定好位置的所述炉体的其中一侧壁上开设对应的测量孔,插上对应的测温传感器后,在测温传感器和测量孔的连接处做好保护措施。
4.如权利要求1所述的一种对砷化镓多晶合成炉温场的测量方法,其特征在于:所述测量孔的孔径根据待安装的测温传感器的测温端的孔径设置,测量孔的孔径方便插装测问传感器的测温端。
5.如权利要求4所述的一种对砷化镓多晶合成炉温场的测量方法,其特征在于:所述测量孔的孔径为5mm~8mm。
6.一种对砷化镓多晶合成炉温场的测量装置,其特征在于:其包括炉体,所述炉体的侧壁沿着其长度方向排布有若干测量孔,每个所述测量孔连通至所述炉体的内腔,对应的测温传感器插装于对应的测量孔,所述测温传感器的测温端内伸于所述内腔内布置,所述测温传感器的数据传输端位于所述炉体的外侧布置。
7.如权利要求6所述的一种对砷化镓多晶合成炉温场的测量装置,其特征在于:所述炉体的侧壁内表面设置有对应的石英管,所述石英管沿着炉体的长度方向排布设置,所述测量孔位于所述石英管的上侧表面布置,所述测量孔沿着所述石英管的上表面的轨迹线排列布置。
8.如权利要求6所述的一种对砷化镓多晶合成炉温场的测量装置,其特征在于:所有的测温传感器为相同的测温传感器。
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