[发明专利]降低高合金钢残余奥氏体的方法在审

专利信息
申请号: 202010529835.1 申请日: 2020-06-11
公开(公告)号: CN111705186A 公开(公告)日: 2020-09-25
发明(设计)人: 王恒;李克俭;马雷;季文;吴瑶;蔡志鹏 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: C21D1/04 分类号: C21D1/04;C21D6/04
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 王佳璐
地址: 10008*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 降低 合金钢 残余 奥氏体 方法
【权利要求书】:

1.一种降低高合金钢残余奥氏体的方法,其特征在于,包括如下步骤:

电磁场处理:在常温下将待处理的高合金钢置于磁化装置产生的电磁场中,根据磁致间隙窜越机理导致磁致相变,使得高合金钢内残余奥氏体转变为马氏体;

液氮保温处理:将电磁场处理后的高合金钢放置在盛有液氮的密闭容器中进行液氮保温处理,以促进电磁场处理后的高合金钢内残余奥氏体继续转变为马氏体。

2.根据权利要求1所述的降低高合金钢残余奥氏体的方法,其特征在于,所述磁化装置包括U型架、第一激励线圈、第二激励线圈、第一磁极、第二磁极和脉冲电压发生器,其中,所述U型架的开口朝上,所述第一激励线圈和第二激励线圈分别绕设在所述U型架的相对两侧的壁体外周面上,所述第一磁极和所述第二磁极分别放置在所述U型架的相对两侧壁体的顶部处且所述第一磁极和所述第二磁极的极性相反,所述第一磁极和所述第二磁极夹持所述待处理的高合金钢;所述脉冲电压发生器分别与所述第一激励线圈和所述第二激励线圈电连接。

3.根据权利要求2所述的降低高合金钢残余奥氏体的方法,其特征在于,所述U型架采用铝镍钴材质制成;所述第一磁极和所述第二磁极均为永磁体。

4.根据权利要求2所述的降低高合金钢残余奥氏体的方法,其特征在于,所述电磁场参数为:磁感应强度为0.5~2T,脉冲电流密度为10~1000A/mm2,脉冲宽度为0.5~3s,脉冲间隔为1-3s,脉冲数为0~100个。

5.根据权利要求1-4中任意一项所述的降低高合金钢残余奥氏体的方法,其特征在于,在所述液氮保温处理的步骤中,所述液氮的温度为-196℃,所述保温的持续时间为1~24小时。

6.根据权利要求1-4中任意一项所述的降低高合金钢残余奥氏体的方法,其特征在于,在所述电磁场处理的步骤之前,还包括获得处理前的高合金钢磁化曲线的步骤;在所述液氮保温处理的步骤之后,还包括获得处理后的高合金钢磁化曲线的步骤,并基于所述处理前的高合金钢磁化曲线和所述处理后的高合金钢磁化曲线,对比饱和磁化强度。

7.根据权利要求6所述的降低高合金钢残余奥氏体的方法,其特征在于,所述处理前的高合金钢磁化曲线以及所述处理后的高合金钢磁化曲线均是利用振动样品磁强计测试得出。

8.根据权利要求6所述的降低高合金钢残余奥氏体的方法,其特征在于,在所述电磁场处理的步骤之前,还包括获得处理前的高合金钢内残余奥氏体含量的步骤;在所述液氮保温处理的步骤之后,还包括获得处理后的高合金钢内残余奥氏体含量的步骤。

9.根据权利要求8所述的降低高合金钢残余奥氏体的方法,其特征在于,所述处理前的高合金钢内残余奥氏体含量以及所述处理后的高合金钢内残余奥氏体含量均是通过X射线衍射仪扫描分析计算法结合电解萃取称重法而得到。

10.根据权利要求9所述的降低高合金钢残余奥氏体的方法,其特征在于,

所述处理前的高合金钢内残余奥氏体含量通过X射线衍射仪扫描分析计算法结合电解萃取称重法得到的具体过程为:先将处理前的高合金钢磨抛后进行电解抛光,利用所述X射线衍射仪对处理前且电解抛光后的高合金钢进行扫描检测、分析,并计算出残余奥氏体含量;接着,利用电解萃取称重法测定处理前的高合金钢中碳化物含量;最后,根据所述处理前的高合金钢中碳化物含量修正所述X射线衍射仪得出的处理前的高合金钢内残余奥氏体含量;

所述处理后的高合金钢内残余奥氏体含量通过X射线衍射仪扫描分析计算法结合电解萃取称重法得到的具体过程为:先将处理后的高合金钢磨抛后进行电解抛光,利用所述X射线衍射仪对处理后且电解抛光后的高合金钢进行扫描检测、分析,并计算出残余奥氏体含量;接着,利用电解萃取称重法测定处理后的高合金钢中碳化物含量;最后,根据所述处理后的高合金钢中碳化物含量修正所述X射线衍射仪得出的处理后的高合金钢内残余奥氏体含量。

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